Элементная база ЭС. Определение элементной базы. Что такое элементная базаЭлементная база - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1Элементная базаCтраница 1 Элементная база - интегральные схемы; потребляемая мощность - 1 5 ква; габаритные размеры - 1520X680X1425 мм. [1] Элементная база: логика - на дискретных полупроводниковых элементах, основное ЗУ - на ферритовых сердечниках, постоянное ЗУ - на многослойной печатной плате с индуктивными связями. [2] Элементная база современных ПМК, изготовленная по КМОП-технологии, обеспечивает малое потребление энергии, что позволяет использовать в качестве автономных источников питания не только химические элементы, ной фотоэлектрические ( солнечные) батареи, применяемые в массовых ПМК. [3] Элементная база, специально разработанная для быстродействующих логических устройств БЭСМ-6, основывалась на применении транзисторного парафаз-ного усилителя с диодной логикой на входе. На этой базовой схеме строились логические ячейки И - ИЛИ ( вентиль), И - ИЛИ - И, а также другие, более сложные, но практически укладывающиеся по времени переключения в стандартный такт машины. [4] Элементная база для БИС микропроцессоров и схем памяти в настоящее время развивается на основе совершенствования схемотехнических, технологических и конструктивных методов биполярных ИМС ( ЭСЛ, ТТЛШ и И2Л) для МП БИС и МДП-ИМС различной модификации для схем памяти. [5] Элементная база состоит из электрорадиоизделий ( ЭРИ), входящих в перечень элементов электрической принципиальной схемы РЭА ( или частей РЭА) как комплектующие изделия. [6] Элементная база уже претерпела несколько радикальных изменений я продолжает совершенствоваться. Если первое поколение систем и ЭВМ Создавалось на базе вакуумных электронных ламп и релейно-контактных элементов с отмеченными выше недостатками, тб второе поколение возникло на основе полупроводниковой электроники. [7] Элементная база ее значительно проще, так как при расчетах участков постоянного тока, не требующих исследований переходных процессов, модель не должна содержать реактивные элементы. [8] Элементная база и структуры схемных коммутаторов весьма разнообразны. [9] Элементная база - это отдельные детали или модули, представляющие собой предварительно собранные из отдельных деталей схемы неразъемных соединений. Различают три группы элементов: активные, преобразующие и пассивные. [10] Элементная база, используемая при создании вольтметров переменного тока, определяется существующим на момент создания вольтметра уровнем техники ( от полупроводниковых образцов до микроинтегрального исполнения), однако функциональное назначение блоков идентично. Детекторы можно классифицировать по функции преобразования входного напряжения в выходное на следующие типы: амплитудные ( пиковые), действующего и средневыпрямленного значения. Тип детектора во многом определяет свойства прибора: так вольтметры с амплитудными детекторами являются самыми высокочастотными; вольтметры с детекторами действующего значения позволяют измерять напряжение любой формы; вольтметры средневыпрямленного значения пригодны только для измерения гармонического сигнала, но являются самыми простыми, надежными и дешевыми. Ниже приводятся некоторые простейшие структурные схемы детекторов. [12] Элементная база микрокалькуляторов г - БИС, построенные на МДП-транзистор ах. Наиболее широко используют МДП-транзисто-ры с р-каналом и особенно комплементарные структуры. [13] Элементная база ЭВМ второй очереди имеет более высокие характеристики по сравнению с интегральными схемами ( ИС), использованными при создании ЭВМ I очереди и при модернизации. Важной особенностью элементной базы ЭВМ II очереди является использование ИС памяти. [14] Элементная база ЭВМ в зависимости от конструктивно-технологического исполнения может быть ламповой, полупроводниковой или выполненной на интегральных микросхемах. Каждому поколению ЭВМ соответствует определенная элементная база. [15] Страницы: 1 2 3 4 www.ngpedia.ru Элементная база ЭС. Определение элементной базыРаздел 1. Элементная база Э.С. 1.1. Определение элементной базы Элементная база – это чрезвычайно широкое понятие. В элементную базу входят все электрорадиоэлементы, показываемые на электрических принципиальных схемах и входящие в их перечни элементов.Элементы РЭС можно разделить на пассивные (например, резистор, конденсатор) и активные (например, электронные лампы, транзисторы, ИМС). Таким образом, элементная база – это те функциональные «кирпичики», из которых создаётся РЭА, они непосредственно участвуют в обработке сигналов. Конечно, в РЭА есть и другие элементы (платы, стойки, корпуса и т.п.), они выполняют механические функции и не участвуют в обработке сигналов (хотя и могут влиять на технические характеристики РЭА), но такие элементы в данной дисциплине не изучаются. Технические характеристики, сложность задач, которые может решать РЭА, надёжность её работы, срок службы во многом зависит от используемой элементной базы. 1.2. Поколения РЭА(определяются по активным элементам). Развитие электроники фактически началось в 1906 году с изобретением Луи де Форестом (США) трёхэлектродной лампы - триода. В течение пяти десятилетий электронные лампы различной сложности были основным усилительным прибором. Аппаратуру на их основе называют аппаратурой 1 поколения (которая изыскала себя низкой надежностью). Помимо ламп в такой аппаратуре применялись дискретные радиоэлементы (резисторы, конденсаторы, КИ, трансформаторы и т.п.) Развитие техники требовало усложнения РЭА, увеличения числа решаемых ей задач. Например, в радиоприемнике с ручной настройкой и без нынешних «наворотов» было от 3-х до 15-20 ламп; в РЭА самолета военных и первых послевоенных лет (связь, маяк, локация, управление) – до 500 ламп; в первых ЭВМ - до 5000 ламп (однако они могли выполнять функции сегодняшних калькуляторов). Но требовалось усложнять функции РЭА, что, в свою очередь, привело к кризису. В тот момент усложнение предполагало резкое увеличение числа ламп, а значит и размеров, массы, стоимости, энергопотребления, времени ремонтов и обслуживания. Фактически, дальнейший рост сложности аппаратуры стал практически невозможен. Изобретением в 1948 году транзистора (электрорадиоэлемента, обладающего большой надежностью и небольшими размерами) мы обязаны Д.Бардину, В.Браттену и У.Шокли (США). Это привело к уменьшению размеров и массы РЭА и повышению ее надежности (т.к. нет нити накаливания и вакуума), появились печатные платы. Это способствовало упорядоченности монтажа; в межкаскадных связях исчез жгутовой монтаж. Появилась стандартизация конструкций (стандарты на размеры блоков и узлов, так как транзистор мал, то пришлось уменьшать размеры других элементов). Появились карманные радиоприемники, ЭВМ высокой сложности, но все еще довольно большие. Аппаратуру на дискретных транзисторах относят ко II поколению. Однако транзисторизация лишь ослабила и отодвинула кризис. Дальнейший рост сложности аппаратуры стал возможным благодаря появлению планарного транзистора и групповой технологии их производства – появились микросхемы, родилась микроэлектроника. III поколение – на ИС средней степени интеграции, выполняющих более сложные функции, чем одиночный транзистор (каждая ИС содержала примерно 10-100 транзисторов). Следующим шагом стала комплексная миниатюризация всех других элементов РЭА – IV-V поколения. Приведем несколько примеров совершенствования техники. 1. Космическая станция «Союз», автоматика которой была на основе электронных ламп и транзисторов, позволяла разместить двух человек, а созданная позже космическая станция «Союз - Т», РЭА которой была на основе ИМС и транзисторов, за счет уменьшения массы, объема, энергопотребления, позволяла вмещать уже трех человек. 2. Цветные телевизоры в период 1970-1980гг. при переходе от электронных ламп к транзисторам и ИМС намного улучшили свои качественные и габаритные показатели (энергопотребление снизилось от 300 до 120 Вт, диагональ стала 59-61см, число элементов снизилось в 4 раза, что, следовательно, привело к снижению трудоемкости производства). Таким образом, элементная база определяет возможности ТХ и прогресс, причем не только в РЭА, но и во многих других областях, так как области применения РЭС нашли широчайшее применение во всех сферах человеческой деятельности.Выбор или разработка элементной базы для РЭА – это задача инженеров нашей специальности. Чтобы решать эти задачи необходимо знать используемые физические явления, принципы их действия, конструктивно-технологические особенности и, конечно, ТХ ЭРЭ, владеть методами их проектирования, уметь разрабатывать и анализировать электрические и математические модели изделий. 1.3.Состав элементной базы электронных средств
1. ПДЭРЭ – пассивные дискретные электрорадиоэлементы, основанные на относительно простых физических явлениях (электрический контакт, взаимодействие электрического тока и магнитного поля идругих). К таким ЭРЭ относят резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности и тд. vunivere.ru элементная база - это... Что такое элементная база? элементная базаcircuit technology Русско-английский технический словарь.
Смотреть что такое "элементная база" в других словарях:
Глава 3 элементная база эвм3.1. Классификация элементов и узлов эвмПри рассмотрении структуры любой ЭВМ обычно проводят ее детализацию. Как правило, в структуре ЭВМ выделяют следующие структурные единицы: устройства, узлы, блоки и элементы. Такая детализация соответствует вполне определенным операциям преобразования информации, заложенным в программах пользователей. Нижний уровень обработки реализуют элементы. Каждый элемент предназначается для обработки единичных электрических сигналов, соответствующих битам информации. Узлы обеспечивают одновременную обработку группы сигналов — информационных слов. Блоки реализуют некоторую последовательность в обработке информационных слов — функционально обособленную часть машинных операций (блок выборки команд, блок записи-чтения и др.). Устройства предназначаются для выполнения отдельных машинных операций и их последовательностей. В общем случае любая структурная единица ЭВМ обеспечивает преобразование входной информации Х в выходную У (см. рис. 2.1). Все современные вычислительные машины строятся на комплексах (системах) интегральных микросхем (ИС). Электронная микросхема называется интегральной, если ее компоненты и соединения между ними выполнены в едином технологическом цикле, на едином основании и имеют общую герметизацию и защиту от механических воздействий. Каждая микросхема представляет собой миниатюрную электронную схему, сформированную послойно в кристалле полупроводника: кремния, германия и т.д. В состав микропроцессорных наборов включаются различные типы микросхем, но все они должны иметь единый тип межмодульных связей, основанный на стандартизации параметров сигналов взаимодействия (амплитуда, полярность, длительность импульсов и т.п.). Основу набора обычно составляют большие интегральные схемы (БИС) и сверхбольшие интегральные схемы (СБИС). В ближайшем будущем следует ожидать появления ультрабольших ИС (УБИС). Кроме них обычно используются микросхемы с малой и средней степенью интеграции (СИС). Функционально микросхемы могут соответствовать устройству, узлу или блоку, но каждая из них состоит из комбинации простейших логических элементов, реализующих функции формирования, преобразования, запоминания сигналов и т.д. Элементы ЭВМ можно классифицировать по различным признакам. Наиболее часто такими признаками являются: тип сигналов, назначение элементов, технология их изготовления и т.д. В ЭВМ широко применяют два способа физического представления сигналов: импульсный и потенциальный. При импульсном способе представления сигналов единичному значению некоторой двоичной переменной ставится в соответствие наличие импульса (тока или напряжения), нулевому значению — отсутствие импульса (рис. 3.1, а). Длительность импульсного сигнала не превышает одного такта синхроимпульсов. При потенциальном или статическом представлении сигналов единичное значение двоичной переменной отображается высоким уровнем напряжения, а нулевое значение — низким уровнем (рис. 3.1, б). Независимо от вида сигналов различают последовательный и параллельный коды передачи и представления информации в ЭВМ. При последовательном коде представления данных используются одиночные шины или линии передачи, в которых сигналы, соответствующие отдельным разрядам данных, разнесены во времени. Обработка такой информации производится последовательно, т. е. разряд за разрядом. Этот вид представления и передачи данных требует весьма экономичных по аппаратурным затратам схем обработки данных. Время же обработки определяется числом обрабатываемых сигналов (разрядов).
Рис. 3.1. Представление информации в ЭВМ: а — импульсные сигналы; б — потенциальные сигналы Параллельный код отображения и передачи информации предполагает параллельную и одновременную фиксацию всех разрядов данных на различных шинах, т.е. параллельный код данных развернут в пространстве. Это дает возможность ускорить обработку во времени, но затраты на аппаратурные средства при этом возрастают пропорционально числу обрабатываемых разрядов. Во всех вычислительных машинах используются и параллельно-последовательные коды представления информации. При этом информация отображается частями. Части поступают на обработку последовательно, а каждая часть данных представляется параллельным кодом. По своему назначению элементы делятся на формирующие, логические и запоминающие. К формирующим элементам относятся различные формирователи, усилители, усилители-формирователи и т.п. Данные элементы служат для выработки определенных электрических сигналов, восстановления их параметров (амплитуды, полярности, мощности, длительности). В каждой ЭВМ имеются специальные блоки, формирующие сигналы тактовой частоты, серии синхронизирующих и управляющих сигналов, которые координируют работу всех схем ЭВМ. Интервал времени между импульсами основной частоты называется тактом. Длительность такта является важной характеристикой ЭВМ, определяющей ее потенциальную производительность. Время выполнения любой операции ЭВМ связано с определенным числом тактов. Простейшие логические элементы преобразуют входные сигналы в соответствии с элементарными логическими функциями, рассмотренными в п. 2.4. В свою очередь, полученные сигналы могут формировать следующий уровень сигналов и т. д. Сложные преобразования в соответствии с требуемыми логическими зависимостями могут приводить к построению многоуровневых схем. Каждая такая схема представляет собой композицию простейших логических схем. Запоминающим элементом называется элемент, который способен принимать и хранить код двоичной цифры (единицы или нуля). Элементы памяти могут запоминать и сохранять исходные значения некоторых величин, промежуточные значения обработки и окончательные результаты вычислений. Только запоминающие элементы в схемах ЭВМ позволяют проводить обработку информации с учетом ее развития. studfiles.net НОУ ИНТУИТ | Лекция | Что такое "Наноэлектронная элементная база информатики"? Как "увидеть" наноразмерные элементы?Аннотация: Цель лекции: уточнить предмет изучения и понятие "наноразмерные структурные элементы". Объяснить принципы наноскопии, в частности принципы работы растровых электронных микроскопов, сканирующего туннельного микроскопа, атомно-силовых микроскопов, сканирующих оптических микроскопов ближнего поля, позволяющих "видеть" и исследовать наноразмерные объекты. Дать представление о нанометрологии. Что такое "Наноэлектронная элементная база информатики"?Напомним, что термином "элементная база" обозначают систему узлов, схем, устройств (структурных элементов, строительных "кирпичиков" и блоков), а также способов и методов их соединения и взаимодействия, необходимых для построения соответствующих машин, устройств и других изделий. Информатикой (англ. informatics, information science) называют, как известно, отрасль науки и техники, изучающую структуру и общие свойства информации, разрабатывающую технические средства и методы ее передачи, переработки, хранения, получения, преобразования из одних видов в другие, визуального и звукового воспроизведения, а также использования в различных сферах деятельности человека. "Элементная база информатики" – это система структурных элементов, способов и методов их соединения, необходимых для построения технических средств информатики. Под "наноэлектроникой" понимают раздел электроники, занимающийся разработкой физических и конструктивно-технологических основ создания интегральных электронных схем со структурными элементами нанометровых размеров – примерно от 1 до 1000 нм. Исходя из сказанного, "Наноэлектронная элементная база информатики" – это система наноразмерных структурных элементов, способов и методов их соединения и взаимодействия, необходимых для построения технических средств информатики. Это также научно-техническая дисциплина, изучающая и описывающая принципы построения наноэлектронной элементной базы информатики. Указанная выше граница – "1000 нм" – между микроэлектроникой и наноэлектроникой достаточно условна. На самом деле больших и тем более принципиальных различий между структурными элементами размером, например, 900 нм и 1100 нм нет. Некоторые специалисты считают верхней границей наноэлектроники не 1000 нм, а 100 нм. Но разве имеются принципиальные различия между элементами размером 100 нм и, например, 200 нм? Качественные изменения в свойствах и функционировании элементов проявляются с уменьшением их размеров постепенно. И лишь вблизи нижней названной границы – "1 нм" – изменения становятся уже очень существенными, иногда даже разительными. Эти изменения мы конкретно рассмотрим далее. Мы считаем, что лучше придерживаться простого метрического подхода: если размеры элементов удобней, естественней задавать в микрометрах, то это – микроэлектроника, если в нанометрах, то это – наноэлектроника, а если (в будущем) в пикометрах, то это – пикоэлектроника. Понимая, конечно, всю условность такого деления. Становление и развитие наноэлектронной элементной базы информатики (далее для краткости мы будем использовать аббревиатуру "НЭБИ") являются закономерным продолжением развития микроэлектроники и многих других областей науки и техники. В своем стремительном развитии, в постоянной борьбе за уменьшение так называемых "проектно-технологических норм" микроэлектронная промышленность пересекла условную границу в 1000 нм уже в 90-х годах ХХ в. В 1995 г. проектно-технологические нормы на передовых производствах составляли 0,35 мкм = 350 нм, а сейчас пересекают черту в 32 нм. Предпосылки становления НЭБИ вызревали давно, однако бурное её развитие началось только в последние десятилетия и продолжается сейчас. Не только дальновидные научно-производственные фирмы, но и парламенты и правительства многих развитых стран выделяют на развитие нанотехнологий, в т.ч. НЭБИ, значительные финансовые ресурсы. Подобный "героический период" микроэлектроника переживала в 60-70 гг. ХХ в. Тогда в ней одновременно развивалось много разных направлений, конкурировали между собой различные подходы, разные полупроводниковые, пленочные и прочие материалы, разные принципы организации логики, схемотехники, различные технологические направления. И только со временем, в упорном, честном соревновании различных направлений стало ясно, каким из них следует отдать предпочтение с точки зрения экономики. Приблизительно так же происходит сейчас и в наноэлектронике. Параллельно развиваются много разных традиционных и новых направлений. Какие из них будут воплощены в жизнь и окажутся ведущими, – сейчас сказать еще нельзя. Поэтому мы ознакомим вас со всеми перспективными направлениями развития НЭБИ, раскрывая принципы и идеи, лежащие в их основе. Какие из них останутся на основном пути развития наноэлектроники, окажутся экономически наиболее выгодными, – покажет лишь время. Вы, нынешние студенты, будете жить в обществе, в котором средства информатизации будут пронизывать уже все сферы производства, коммуникации, образования, управления государством, большинство процессов повседневной жизни. И постепенно эти средства будут становиться в основном наноэлектронными. О принципах действия наноэлектронных структурных элементов и устройств, об их ожидаемых технических характеристиках, о физических явлениях и закономерностях, лежащих в их основе, о способах их структурной организации и о технологиях их изготовления мы и расскажем вам в этом учебном пособии. Как "увидеть" наноразмерные элементы?Первым очевидным качественным изменением при переходе от микроэлектронной элементной базы информатики к наноэлектронной является невозможность увидеть наноразмерные структурные элементы не только невооруженным глазом, но и в оптический микроскоп, невозможность рассматривать сквозь него и контролировать с его помощью размеры и качество наноразмерных элементов. Оптические микроскопы были единственным средством визуализации микрообъектов до 30-х годов ХХ в. С их помощью удалось рассмотреть живые биологические клетки и бактерии размером в единицы микрометров, структуру микроорганизмов, невидимых невооруженным глазом, строение микрокристаллов и магнитных доменов и т.п. Они же были основным средством контроля размеров и качества элементов в микроэлектронике. Но из-за дифракции световых волн разрешающая способность оптических микроскопов не может превышать половину длины волны видимого света (от 400 до 700 нм). Даже у наилучших современных оптических микроскопов разрешающая способность не превышает 0,2 мкм = 200 нм. Для визуализации наноразмерных объектов надо было использовать излучение со значительно меньшей длиной волны – рентгеновское (или электронное). В рентгеновском диапазоне электромагнитных волн сформировать качественные увеличенные изображения никак не удавалось из-за отсутствия рентгеновских линз. Поэтому основные усилия были сконцентрированы на использовании электронов. www.intuit.ru Элементная база оптического приборостроения - это... Что такое Элементная база оптического приборостроения?Элементная база оптического приборостроения Как правило, любой оптический прибор состоит из нескольких отдельных оптических элементов, каждый из которых выполняет свою функцию по преобразованию поля излучения. Исключением являются лишь простейшие оптические приборы типа зеркала или увеличительного стекла, представленные одним единственным элементом.[1] Время индивидуального производства [2] осталось в прошлом. Изделия, входящие в эту базу, в подавляющем числе случаев являются предметами серийного или массового производства. В настоящее время имеется возможность заказа таких изделий по каталогам [3] Базовые оптические элементыПод понятием оптическая система как в теоретической (физической), так и прикладной оптике понимают совокупность определённым образом размещённых в пространстве базовых оптических элементов, принимающих непосредственное участие в преобразовании поля излучения. Исторически такими элементами являлись линзы, призмы и зеркала. В XIX веке эта триада была дополнена теми базовыми оптическими элементами, которые ввиду отсутствия обобщающих терминов можно условно назвать поляризаторами, дифракционными решётками (эшелон Майкельсона). Затем, почти одновременно, появились элементы волоконной оптики (гибкие световоды), элементы голографической техники (например — толстослойные фотопластинки) и элементы нелинейной оптики, (например — кристаллы, используемые для преобразования частоты света). Общее количество базовых оптических элементов в ближайшие годы вряд ли превзойдёт десяток[4] ЛинзыЛинза — элемент оптического прибора, изготовленный из прозрачного для излучения, лежащего в рабочем спектральном диапазоне прибора, ограниченная двумя поверхностями, по крайней мере одна из которых и по крайней мере в одной из плоскостей симметрии имеет не плоскую поверхность. Действие линзы заключается в том, что имея по ходу луча разную толщину, она заставляет деформироваться волновой фронт и, следовательно, расходиться или, наоборот, сходиться лучи, в оптически изотропных средах направленные по нормали к поверхности волнового фронта. Как правило, линзы представляют собой тела вращения, ось которых является одновременно и главной оптической осью линзы. Любая из плоскостей, проходящих через эту ось, есть одна из бесконечно большого множества равноправных осей симметрии. Иногда используются линзы, обе или одна из поверхностей которых представляет собой поверхность цилиндра. Такая линза (если вторая из её поверхностей не является поверхностью тела вращения) оптической оси не имеет. ПризмыПризма — элемент оптического прибора, изготовленный из прозрачного для излучения, лежащего в рабочем спектральном диапазоне прибора, ограниченная плоскими поверхностями. Путём мысленного отображения последовательно одной из рабочих граней призмы в другую, можно построить оптическую развёртку призмы. При этом возможны два варианта: в первом случае призма разворачивается в плоско-параллельную пластинку (такие призмы используются для излома пучка лучей), а во втором случае призма разворачивается в клин. Такие призмы применяются, главным образом, для спектрального разложения света сложного спектрального состава. ЗеркалаЗеркало — элемент оптического прибора, полностью или частично непрозрачный для излучения, лежащего в рабочем спектральном диапазоне прибора. Различают плоские зеркала, рабочая поверхность которых представляет собой плоскость, а также вогнутые или выпуклые по отношению к падающему на них пучку света. Также, как и у линз, рабочая поверхность линзы может быть либо телом вращения, либо быть образованной цилиндрической поверхностью. ПоляризаторыУгол Брюстера. Стопа. Дифракционные элементыДифракционные решётки (работающие на просвет и на отражение). Эшелетты, эшелон Майкельсона. Элементы волоконной оптикиЯвление полного внутреннего отажения Элементы голографической техникиТолстослойные фотографические пластинки Элементы нелинейной оптикиИсточники излученияРазличают два типа источников:
Приёмники излученияС точки зрения практического использования приемники излучения делятся на два класса:
Классификация оптических элементовВ большом числе случаев рабочая поверхность оптических элементов представляет собой поверхность тела вращения, ось симметрии которого одновременно становится главной оптической осью оптического элемента. Существует легенда, что ещё Нерон пользовался для наблюдения боёв гладиаторов увеличительным стеклом, образованным кристаллом изумруда, отшлифованным в виде чечевицы линзы. В оптическом приборе, состоящем из нескольких установленных друг за другом оптических элементов, главные их оптические оси, как правило, совмещаются. Технологически наиболее простыми в изготовлении и потому наиболее широко применяемыми являются оптические элементы, образованные поверхностями, имеющими сферическую или плоскую форму. Существенное значение имеет пространственная ориентация сферической поверхности. Отражающие оптические элементы (зеркала), поверхность которых вогнута по направлению распространения излучения позволяют концентрировать перед собой поток излучения и, наоборот,рассеивать его в стороны, если это поверхность выпукла. Для преломляющих оптических элементов (линз)имеет значение будут ли они толще у оптической оси, чем на периферии, или же наоборот -тоньше. При этом вопрос о том, будет ли такая линза «собирательной» или же «рассеивающей» зависит от того, будет ли коэффициент преломления ее материала больше, чем у окружающей среды, или наоборот. Более «толстая» по оси линза с коэффициентом преломления большим, чем у окружающей среды, будет концентрировать излучение в пространстве предметов, т.е «собирательной» [5] Известны оптические элементы, рабочая поверхность которых имеет цилиндрическую форму (анаморфотная оптика).Такие элементы использовались в проекторах для широкоэкранного кино. ПримечанияСм. такжеdic.academic.ru элементная база - это... Что такое элементная база? элементная база элн elemental baseЦель курса — дать студентам сведения о современном развитии радиоэлектроники и современной элементная база электроники, ознакомить их с типовыми схемами аналоговых, импульсных и цифровых радиоэлектронных устройств. — Object of the course — to give to students the information on the modern development of radio electronics and modern elemental electronics base, to familiarize them with the typical diagrams of analog, pulse and digital electronic units. Дополнительный универсальный русско-английский словарь. 2013.
Смотреть что такое "элементная база" в других словарях:
additional_universal_dictionary_ru_en.academic.ru |
|
||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
|
Условно состав элементной базы можно представить в виде следующей схемы:
