Вранзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния: Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора — тСория ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора — тСория ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°

ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ простой ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмой ΠΈ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌ усилитСлСм Π½Π° транзисторС имССтся ΠΎΡ‡Π΅Π²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΠ΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅. Π’ Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌ Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ усилитСлС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ всСгда прямо ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ. Π’ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ схСмС, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ Π½Π° рис. 1., ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ опрСдСляСтся, Π³Π»Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, напряТСниСм питания VCC ΠΈ сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ RL. Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора являСтся достаточно Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹ΠΌ ΠΈ заслуТиваСт ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½ΠΎΠ³ΠΎ обсуТдСния.


Рис. 1. Π˜Π»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€Π°Ρ†ΠΈΡ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° насыщСния. Вранзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ для Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π»Π°ΠΌΠΏΡ‹.

Рассмотрим, Ρ‡Ρ‚ΠΎ происходит с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² схСмС Π½Π° рис. 1, Ссли Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ постСпСнно увСличиваСтся, начиная ΠΎΡ‚ нуля. Когда ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ S1 Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚, Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π½ΠΈΡ‡Ρ‚ΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π». Π—Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ S1 ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ появлСнию Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ IB = VCC/RB, Π³Π΄Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅Π³Π»ΠΈ Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΠΎΠ² Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр. Π’ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ RL, Ρ€Π°Π²Π΅Π½ IC=hFEVCC/RB. Для ΠΊΠΎΠ½ΠΊΡ€Π΅Ρ‚Π½ΠΎΠΉ схСмы, ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π½Π° рисункС, ΠΏΡ€ΠΈ hFE = 100 ΠΈ ΠΏΡ€ΠΈ максимальном Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ RB (50 кОм) ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΠΌ:

IC=100×10/5000 А=20 мА

ПадСниС напряТСния Π½Π° RL опрСдСляСтся ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²Π΅Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ RLIC ΠΈ Π² нашСм случаС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 50 Ρ… 0,02 = 1 Π’. Вранзистор ΠΏΡ€ΠΈ этом находится Π² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅; ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ RB ΠΏΡ€ΠΈΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹, ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ, ΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ падСния напряТСния Π½Π° RL. Π’ этих условиях схСма ΠΌΠΎΠ³Π»Π° Π±Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ использована ΠΊΠ°ΠΊ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ напряТСния.

Π’Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ рассмотрим случай, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°

RB=hFERL

ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Ρ€Π°Π²Π΅Π½

IB=VCC/RB=VCC/(hFERL)

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½

IC=(hFEVCC)/(hFERL)=VCC/RL

Π‘ Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ зрСния Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ транзистор Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠ°Ρ€Π° ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°. Из Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Π° Ома слСдуСт, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² этой ситуации Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρ‹ VCC/RL. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ дальнСйшСС ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ опрСдСляСтся Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ сопротивлСниСм Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈ напряТСниСм питания. Вранзистор находится Π² насыщСнии. На ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈ насыщСнии транзистора ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром всСгда остаСтся нСбольшоС напряТСниС, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅ΠΌΠΎΠ΅ VCE(sat). Как ΠΏΡ€Π°Π²ΠΈΠ»ΠΎ, ΠΎΠ½ΠΎ мСньшС 1 Π’ ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄ΠΎ 0,1 B y транзисторов, ΡΠΏΠ΅Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π½Π°Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² качСствС ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ VCE(sat) ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΏΠΎ ΠΌΠ΅Ρ€Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ всС больший Ρ‚ΠΎΠΊ, Ρ‚ΠΎ Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π² случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° IC ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹ IB становится Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° транзистора hFE.

Π“Ρ€ΡƒΠ±ΠΎ говоря, Π³Π»ΡƒΠ±ΠΎΠΊΠΎΠ΅ насыщСниС (ΠΌΠ°Π»ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ VCE(sat)) ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ мСсто, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°

IC/IB < hFE/5

Для схСмы Ρ‚ΠΈΠΏΠ° Ρ‚ΠΎΠΉ, какая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рис. 1, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ задаСтся просто ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ рСзистора ΠΊ источнику питания, ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ

RB/RL < hFE/5

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, для схСмы Π½Π° рис. 1, принимая Ρ‚ΠΈΠΏΠΈΡ‡Π½ΠΎΠ΅ для транзистора 2N3053 (Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ КВ630Π‘ β€” см. Π°Π½Π°Π»ΠΎΠ³ΠΈ отСчСствСнных ΠΈ Π·Π°Ρ€ΡƒΠ±Π΅ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… транзисторов) Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ° hFE = 150, ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ

RB/RL < 150/5 = 30.

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΏΡ€ΠΈ RL = 50 Ом ΠΌΡ‹ Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ

RB < 30 Ρ… 50 Ом = 1,5 кОм.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ссли Π² качСствС Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π»Π°ΠΌΠΏΠ° с сопротивлСниСм 50 Ом, Ρ‚ΠΎ для Π΅Π΅ эффСктивного Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π½Π°ΠΌ слСдуСт Π²Ρ‹Π±Ρ€Π°Ρ‚ΡŒ сопротивлСниС Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора мСньшС 1,5 кОм. Если это Π½Π΅Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π°, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Π² качСствС RB ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ фоторСзистор с ΠΌΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ сопротивлСниСм 10 кОм, Ρ‚ΠΎ слСдуСт Π²ΠΎΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ схСмой Π”Π°Ρ€Π»ΠΈΠ½Π³Ρ‚ΠΎΠ½Π°, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ коэффициСнт усилСния Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Если биполярный транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ ΠΊ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ, ΠΈ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄Π΄Π΅Ρ€ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ напряТСниС VCE(sat) Π½Π° ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°, Ρ‚ΠΎ ΠΈΠ·-Π·Π° ΡƒΠΌΠ΅Π½ΡŒΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ hFE ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠΎΠ½Π°Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Iс/10.





Π’ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ покаТСтся Π½Π΅ΠΎΠΆΠΈΠ΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ VCE(sat) ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС VBE, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Ρƒ ΠΊΡ€Π΅ΠΌΠ½ΠΈΠ΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ транзистора Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ 0,6 Π’. ΠŸΡ€ΠΎΠΈΡΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ это ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-Π±Π°Π·Π° смСщСн Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, ΠΌΡ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π΄Π²Π° Ρ€-n ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π°, смСщСнных Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½Π½Ρ‹Ρ… навстрСчу Π΄Ρ€ΡƒΠ³ Π΄Ρ€ΡƒΠ³Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ падСния напряТСния Π½Π° Π½ΠΈΡ… Π²Π·Π°ΠΈΠΌΠ½ΠΎ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ. Π­Ρ‚Π° ΡΠΏΠΎΡΠΎΠ±Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ биполярного транзистора ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ малСнькоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром, Π΄Π΅Π»Π°Π΅Ρ‚ Π΅Π³ΠΎ вСсьма ΠΏΠΎΠ»Π΅Π·Π½Ρ‹ΠΌ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€ΠΎΠΌ. МногиС ΠΈΠ· Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π²Π°ΠΆΠ½Ρ‹Ρ… ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠΉ элСктроники, Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ ΠΎΠ±ΡˆΠΈΡ€Π½ΡƒΡŽ ΠΎΠ±Π»Π°ΡΡ‚ΡŒ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²ΠΎΠΉ элСктроники, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠ΅ схСмы.

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π»ΠΈΠ±ΠΎ с фактичСски Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° (транзистор Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½) ΠΈΠ»ΠΈ с фактичСски Π½ΡƒΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌ напряТСниСм Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ (транзистор Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½). Π’ ΠΎΠ±ΠΎΠΈΡ… случаях ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ, рассСиваСмая Π½Π° транзисторС, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Π°. Π—Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π°Ρ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ рассСиваСтся Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎ врСмя, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° происходит ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅: Π² это врСмя ΠΈ напряТСниС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Ρ‹Π΅ значСния.

ΠœΠ°Π»ΠΎΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ транзистор, Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΊ 2N3053, с максимально допустимой рассСиваСмой ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Π°Ρ‚Ρ‚Π°, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ΅ Π² нСсколько Π²Π°Ρ‚Ρ‚. Π‘Π»Π΅Π΄ΡƒΠ΅Ρ‚ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ значСния ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Π·Π° допустимыС ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Ρ‹; ΠΊΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΆΠ΅Π»Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ быстрСС, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ рассСяния Ρ‡Ρ€Π΅Π·ΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ большой мощности.

Всё ΠΎ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

Вранзистор β€” радиоэлСктронный ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚ ΠΈΠ· ΠΏΠΎΠ»ΡƒΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°, ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ с трСмя Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ, способный ΠΎΡ‚ нСбольшого Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ сигнала ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ позволяСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ для усилСния, гСнСрирования, ΠΊΠΎΠΌΠΌΡƒΡ‚Π°Ρ†ΠΈΠΈ ΠΈ прСобразования элСктричСских сигналов.

Для упрощСния рассказа ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒΒ Ρ‚Ρ€Π°Π½Π·ΠΈΡΡ‚ΠΎΡ€Β Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора. Π’Ρ‹Π²ΠΎΠ΄ Π±Π°Π·Ρ‹ это Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π· Ρ‚Π° самая Ρ€ΡƒΡ‡ΠΊΠ°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ. ΠŸΡ€ΠΈ этом измСняСтся сопротивлСниС участка ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ – эмиттСр. ΠšΡ€ΡƒΡ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π±Π°Π·Ρƒ, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π½Π΅ Π½Π°Π΄ΠΎ, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ΠΎΡ€Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ. А Π²ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π° Π½Π΅Π΅ Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ.

Если напряТСниС Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ вовсС, Π° просто Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ эмиттСра ΠΏΡƒΡΡ‚ΡŒ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΈ Π½Π΅ Π½Π°ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎ, Π° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· рСзистор Π² нСсколько КОм. ΠŸΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Π±Π°Π·Π° – эмиттСр (Uбэ) Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½ΡƒΠ»ΡŽ. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Π½Π΅Ρ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Вранзистор Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€Π΅Π½Π΅Π±Ρ€Π΅ΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ°Π», ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π· Ρ‚ΠΎΡ‚ самый Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ. ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π° Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ! Π’ этом случаС говорят, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзистор находится Π² состоянии ΠžΠ’Π‘Π•Π§ΠšΠ˜, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠΌ языкС Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π°ΠΏΠ΅Ρ€Ρ‚.

ΠŸΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ΅ состояниС называСтся ΠΠΠ‘Π«Π©Π•ΠΠ˜Π•. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ, Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ дальшС ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΡƒΠΆΠ΅ Π½Π΅ΠΊΡƒΠ΄Π°. ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠΉ стСпСни открытия сопротивлСниС участка ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ эмиттСр Π½Π°ΡΡ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΌΠ°Π»ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ транзистор Π±Π΅Π· Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠΈ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ Ρ†Π΅ΠΏΠΈ просто нСльзя, сгорит ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ этом остаточноС напряТСниС Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ всСго 0,3…0,5Π’.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ довСсти транзистор Π΄ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ состояния, Π½Π°Π΄ΠΎ ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΡ‚ΡŒ достаточно большой Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹, ΠΏΠΎΠ΄Π°Π² Π½Π° Π½Π΅Π΅ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ эмиттСра большоС напряТСниС Uбэ,- порядка 0,6…0,7Π’. Π”Π°, для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС Π±Π΅Π· ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΠΊΠΎ. Π’Π΅Π΄ΡŒ входная характСристика транзистора, показанная Π½Π° рисункС 1, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΏΠΎΡ…ΠΎΠΆΠ° Π½Π° ΠΏΡ€ΡΠΌΡƒΡŽ Π²Π΅Ρ‚Π²ΡŒ характСристики Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°.

Рисунок 1. Входная характСристика транзистора

Π­Ρ‚ΠΈ Π΄Π²Π° состояния – насыщСниС ΠΈ отсСчка, ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π½Π°ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚Π° Ρ€Π΅Π»Π΅. Основной смысл Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ управляСт большим Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ Π² нСсколько дСсятков Ρ€Π°Π· большС Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π±Π°Π·Ρ‹. Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° получаСтся Π·Π° счСт внСшнСго источника энСргии, Π½ΠΎ всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ усилСниС ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ называСтся, Π½Π°Π»ΠΈΡ†ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΎΡΡ‚ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€: малСнькая микросхСма Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΡƒΡŽ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ!

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ усилСния транзистора Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ «коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ большого сигнала». Π’ справочниках ΠΎΡ‚ обозначаСтся грСчСской Π±ΡƒΠΊΠ²ΠΎΠΉ Ξ² Β«Π±Π΅Ρ‚Ρ‚Π°Β». ΠŸΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΠΈ для всСх соврСмСнных транзисторов ΠΏΡ€ΠΈ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π΅ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ этот коэффициСнт Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊ Π½Π΅ мСньшС 10…20 ΠžΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡΠ΅Ρ‚ΡΡ Ξ²Β  ΠΊΠ°ΠΊ ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ максимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ минимально Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ Π±Π°Π·Ρ‹. Π’Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° бСзразмСрная, просто Β«Π²ΠΎ сколько Ρ€Π°Π·Β».

Ξ² β‰₯ IΠΊ/IΠ±

Π”Π°ΠΆΠ΅ Ссли Ρ‚ΠΎΠΊ Π±Π°Π·Ρ‹ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ трСбуСтся, Π±Π΅Π΄Ρ‹ особой Π½Π΅Ρ‚: транзистор всС Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π΅ смоТСт ΠΎΡ‚ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒΡΡ большС. На Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½Ρ‹Ρ… транзисторов для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ΡΡ «дарлингтоновскиС» ΠΈΠ»ΠΈ составныС транзисторы. Π˜Ρ… «супСр — Π±Π΅Ρ‚Ρ‚Π°Β» ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π΄ΠΎΡΡ‚ΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ 1000 ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ€Π°Π·.

Как Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π΅ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ совсСм голословным, ΠΏΠΎΠΏΡ€ΠΎΠ±ΡƒΠ΅ΠΌ Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠ³ΠΎ каскада, схСма ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° Π½Π° рисункС 2.

Рисунок 2.

Π—Π°Π΄Π°Ρ‡Π° Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ каскада ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ простая: Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ. ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π½Π°Π³Ρ€ΡƒΠ·ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ любой, — ΠΎΠ±ΠΌΠΎΡ‚ΠΊΠ° Ρ€Π΅Π»Π΅, элСктромотор, просто рСзистор, Π΄Π° ΠΌΠ°Π»ΠΎ Π»ΠΈ Ρ‡Ρ‚ΠΎ. Π›Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° взята просто для наглядности экспСримСнта, для Π΅Π³ΠΎ упрощСния. Наша Π·Π°Π΄Π°Ρ‡Π° Ρ‡ΡƒΡ‚ΡŒ послоТнСС. ВрСбуСтся Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ рСзистора RΠ± Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π³ΠΎΡ€Π΅Π»Π° Π² ΠΏΠΎΠ»Π½Ρ‹ΠΉ Π½Π°ΠΊΠ°Π».

Π’Π°ΠΊΠΈΠ΅ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠΈ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‚ΡΡ для подсвСтки ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΉ доски Π² отСчСствСнных Π°Π²Ρ‚ΠΎ, поэтому Π½Π°ΠΉΡ‚ΠΈ Π΅Π΅ нСслоТно. Вранзистор КВ815 с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° 1,5А для Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ³ΠΎ ΠΎΠΏΡ‹Ρ‚Π° Π²ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠΉΠ΄Π΅Ρ‚.

Π‘Π°ΠΌΠΎΠ΅ интСрСсноС Π²ΠΎ всСй этой истории, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСния Π² расчСтах участия Π½Π΅ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚, лишь Π±Ρ‹ соблюдалось условиС Ξ² β‰₯ IΠΊ/IΠ±. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‡Π΅Π΅ напряТСниС 200Π’, Π° базовая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ микросхСм с напряТСниСм питания 5Π’. Если транзистор рассчитан Π½Π° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ с Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ напряТСниСм Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, Ρ‚ΠΎ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΠΌΠΈΠ³Π°Ρ‚ΡŒ Π±Π΅Π· ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ.

Но Π² нашСм ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π΅ микросхСм Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… Π½Π΅ прСдвидится, базовая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ управляСтся просто ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠΌ, Π½Π° ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ просто подаСтся напряТСниС 5Π’. Π›Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π½Π° напряТСниС 12Π’, Ρ‚ΠΎΠΊ потрСблСния 100мА. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»Π°Π³Π°Π΅Ρ‚ΡΡ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ наш транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ Ξ² Ρ€ΠΎΠ²Π½ΠΎ 10. ПадСниС напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π° – эмиттСр Uбэ = 0,6Π’. Π‘ΠΌ. Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΡƒΡŽ характСристику Π½Π° рисункС 1.

ΠŸΡ€ΠΈ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… Π΄Π°Π½Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π±Π°Π·Π΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ IΠ± = IΠΊ / Ξ² = 100 / 10 = 10(мА).

НапряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌ рСзисторС RΠ± составит (Π·Π° Π²Ρ‹Ρ‡Π΅Ρ‚ΠΎΠΌ напряТСния Π½Π° ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ Π±Π°Π·Π° — эмиттСр) 5Π’ – Uбэ = 5Π’ – 0,6Π’ = 4,4Π’.

ВспоминаСм Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Ома: R = U / I = 4,4Π’ / 0,01А = 440Ом. Богласно систСмС БИ подставляСм напряТСниС Π² Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ…, Ρ‚ΠΎΠΊ Π² Π°ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ…, Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Π΅ΠΌ Π² ΠžΠΌΠ°Ρ…. Из стандартного ряда Π²Ρ‹Π±ΠΈΡ€Π°Π΅ΠΌ рСзистор сопротивлСниСм 430Ом. На этом расчСт ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½Ρ‡Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΌ.

Но, ΠΊΡ‚ΠΎ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ посмотрит Π½Π° схСму, ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΏΡ€ΠΎΡΠΈΡ‚ΡŒ: «А ΠΏΠΎΡ‡Π΅ΠΌΡƒ Π½ΠΈΡ‡Π΅Π³ΠΎ Π½Π΅ Π±Ρ‹Π»ΠΎ сказано ΠΎ рСзисторС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ ΠΈ эмиттСром Rбэ? ΠŸΡ€ΠΎ Π½Π΅Π³ΠΎ просто Π·Π°Π±Ρ‹Π»ΠΈ, ΠΈΠ»ΠΈ ΠΎΠ½ Π½Π΅ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΈ Π½ΡƒΠΆΠ΅Π½?Β»

НазначСниС этого рСзистора — Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ транзистор Π² Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠ° Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚Π°. Π”Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ссли Π±Π°Π·Π° Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Β«Π²ΠΈΡΠ΅Ρ‚ΡŒ Π² Π²ΠΎΠ·Π΄ΡƒΡ…Π΅Β», воздСйствиС всячСских ΠΏΠΎΠΌΠ΅Ρ… Π½Π° Π½Π΅Π΅ просто Π³Π°Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΎ, особСнно, Ссли ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ Π΄ΠΎ ΠΊΠ½ΠΎΠΏΠΊΠΈ достаточно Π΄Π»ΠΈΠ½Π½Ρ‹ΠΉ. Π§Π΅ΠΌ Π½Π΅ Π°Π½Ρ‚Π΅Π½Π½Π°? ΠŸΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρƒ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ΅ΠΌΠ½ΠΈΠΊΠ°.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π½Π°Π΄Π΅ΠΆΠ½ΠΎ Π·Π°ΠΊΡ€Ρ‹Ρ‚ΡŒ транзистор, ввСсти Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρ‹ эмиттСра ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹. ΠŸΡ€ΠΎΡ‰Π΅ всСго Π±Ρ‹Π»ΠΎ Π±Ρ‹ Π² нашСй Β«ΡƒΡ‡Π΅Π±Π½ΠΎΠΉ схСмС» ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚. Надо Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠΈΠ½ΡƒΠ»ΠΈ ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π½Π° +5Π’, Π° ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΏΠΎΡ‚Ρ€Π΅Π±ΠΎΠ²Π°Π»ΠΎΡΡŒ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ — просто Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΠ»ΠΈ Π²Ρ…ΠΎΠ΄ всСго каскада Π½Π° «зСмлю».

Но Π½Π΅ всСгда ΠΈ Π½Π΅ Π²Π΅Π·Π΄Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ·Π²ΠΎΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΡƒΡŽ Ρ€ΠΎΡΠΊΠΎΡˆΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ лишний ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅ Π²Ρ‹Ρ€ΠΎΠ²Π½ΡΡ‚ΡŒ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Ρ‹ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈ эмиттСра ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΠΈ рСзистора Rбэ. Номинал этого рСзистора Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Ρ‹Π²Π°Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ Π½Π°Π΄ΠΎ. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΅Π³ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈΠ½ΠΈΠΌΠ°ΡŽΡ‚ Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ дСсяти RΠ±. Богласно практичСским Π΄Π°Π½Π½Ρ‹ΠΌ Π΅Π³ΠΎ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Π° Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ 5…10КОм.

РассмотрСнная схСма являСтся Ρ€Π°Π·Π½ΠΎΠ²ΠΈΠ΄Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ схСмы с ΠΎΠ±Ρ‰ΠΈΠΌ эмиттСром. Π’ΡƒΡ‚ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π΄Π²Π΅ особСнности. Π’ΠΎ-ΠΏΠ΅Ρ€Π²Ρ‹Ρ…, это использованиС Π² качСствС ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ напряТСния 5Π’. ИмСнно Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ напряТСниС ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π²ΠΎΠΉ каскад ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Π΅Ρ‚ΡΡ ΠΊ Ρ†ΠΈΡ„Ρ€ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ микросхСмам ΠΈΠ»ΠΈ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π΅ΠΏΠ΅Ρ€ΡŒ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ вСроятно, ΠΊΒ ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠΊΠΎΠ½Ρ‚Ρ€ΠΎΠ»Π»Π΅Ρ€Π°ΠΌ.

Π’ΠΎ-Π²Ρ‚ΠΎΡ€Ρ‹Ρ…, сигнал Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡŽ ΠΊ сигналу Π½Π° Π±Π°Π·Π΅. Если Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ присутствуСт напряТСниС, ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ Π·Π°ΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ Π½Π° +5Π’, Ρ‚ΠΎ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ ΠΎΠ½ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ практичСски Π΄ΠΎ нуля. Ну, Π½Π΅ Π΄ΠΎ нуля, ΠΊΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½ΠΎ, Π° Π΄ΠΎ напряТСния ΡƒΠΊΠ°Π·Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π² справочникС. ΠŸΡ€ΠΈ этом Π»Π°ΠΌΠΏΠΎΡ‡ΠΊΠ° Π²ΠΈΠ·ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π½Π΅ инвСртируСтся,- сигнал Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Π΅ΡΡ‚ΡŒ ΠΈ свСт.

Π Π°Π½Π΅Π΅ ЭлСктроВСсти писали, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠΆΠ΄ΠΈ ΠΌΠΎΠ³ΡƒΡ‚ ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΌ источником возобновляСмой ΠΈ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ дСшСвой энСргии: ΡƒΡ‡Π΅Π½Ρ‹Π΅ ΠΈΠ· Π“ΠΎΠ½ΠΊΠΎΠ½Π³Π° ΠΏΡ€ΠΈΠ΄ΡƒΠΌΠ°Π»ΠΈ Π½ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΈΠΏ элСктрогСнСратора с высоким ΠšΠŸΠ” ΠΈ ΡƒΠ΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ Π² тысячу Ρ€Π°Π· большСй, Ρ‡Π΅ΠΌ Ρƒ ΡΡƒΡ‰Π΅ΡΡ‚Π²ΠΎΠ²Π°Π²ΡˆΠΈΡ… Π΄ΠΎ сих ΠΏΠΎΡ€ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΡ… ΠΏΠΎΠ΄ΠΎΠ±Π½Ρ‹Ρ… устройств. Π˜Ρ… ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π΅Ρ‚Π΅Π½ΠΈΠ΅ позволяСт ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ· падСния ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ΠΊΠ°ΠΏΠ»ΠΈ Π²ΠΎΠ΄Ρ‹ с высоты 15 см напряТСниС ΡΠ²Ρ‹ΡˆΠ΅ 140 Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚, Π° энСргии этого падСния Ρ…Π²Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ для питания 100 Π½Π΅Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… свСтодиодных Π»Π°ΠΌΠΏ.

По ΠΌΠ°Ρ‚Π΅Ρ€ΠΈΠ°Π»Π°ΠΌ:Β electrik.info.

Вранзисторы — SparkFun Learn

Авторы:
Π”ΠΆΠΈΠΌΠ±Π»ΠΎΠΌ

Π˜Π·Π±Ρ€Π°Π½Π½ΠΎΠ΅

Π›ΡŽΠ±ΠΈΠΌΡ‹ΠΉ

83

Π’ ΠΎΡ‚Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ΅ ΠΎΡ‚ рСзисторов, ΠΎΠ±Π΅ΡΠΏΠ΅Ρ‡ΠΈΠ²Π°ΡŽΡ‰ΠΈΡ… Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ напряТСниСм ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, транзисторы ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами. Π£ Π½ΠΈΡ… Π΅ΡΡ‚ΡŒ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ ΠΎΠΏΠΈΡΡ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ…. (Когда ΠΌΡ‹ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠΌ ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°Π½ΠΈΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· транзистор, ΠΌΡ‹ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΠΌΠ΅Π΅ΠΌ Π² Π²ΠΈΠ΄Ρƒ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру NPN .)

Π§Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора:

  • НасыщСниС — Вранзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ . Π’ΠΎΠΊ свободно Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру.
  • ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ° — Вранзистор дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ разомкнутая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ . Π’ΠΎΠΊ Π½Π΅ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру.
  • Активный — Π’ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π²Ρ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΌΡƒ Π² Π±Π°Π·Ρƒ.
  • Reverse-Active — Как ΠΈ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»Π΅Π½ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, Π½ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π’ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ (Π½Π΅ совсСм Ρ‚ΠΎ, для Ρ‡Π΅Π³ΠΎ Π±Ρ‹Π»ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π½Ρ‹ транзисторы).

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ находится транзистор, Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€Π΅Ρ‚ΡŒ Π½Π° напряТСния Π½Π° ΠΊΠ°ΠΆΠ΄ΠΎΠΌ ΠΈΠ· Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ² ΠΈ Π½Π° Ρ‚ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠ½ΠΈ соотносятся Π΄Ρ€ΡƒΠ³ с Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΌ. НапряТСния ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру (V BE ) ΠΈ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ (V BC ) ΡƒΡΡ‚Π°Π½ΠΎΠ²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора:

На ΠΏΡ€ΠΈΠ²Π΅Π΄Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΡƒΠΏΡ€ΠΎΡ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠΌ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ΅ ΠΊΠ²Π°Π΄Ρ€Π°Π½Ρ‚ΠΎΠ² ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ ΠΈ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹Π΅ напряТСния Π½Π° этих ΠΊΠ»Π΅ΠΌΠΌΠ°Ρ… Π²Π»ΠΈΡΡŽΡ‚ Π½Π° Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ. На самом Π΄Π΅Π»Π΅ всС Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ слоТнСС.

Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ рассмотрим всС Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ транзистора ΠΏΠΎ ΠΎΡ‚Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ; ΠΌΡ‹ исслСдуСм, ΠΊΠ°ΠΊ пСрСвСсти устройство Π² этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ это влияСт Π½Π° Ρ‚Π΅ΠΊΡƒΡ‰ΠΈΠΉ ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΊ.

ΠŸΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ‡Π°Π½ΠΈΠ΅: Π‘ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠ°Ρ Ρ‡Π°ΡΡ‚ΡŒ этой страницы посвящСна транзисторам NPN . Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΏΠΎΠ½ΡΡ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ PNP-транзистор, просто помСняйтС мСстами ΠΏΠΎΠ»ΡΡ€Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π·Π½Π°ΠΊΠΈ > ΠΈ <.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния

НасыщСниС β€” это Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистора. Вранзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния дСйствуСт ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.

Π’ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния ΠΎΠ±Π° «Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π°» транзистора смСщСны Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V BE Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС 0, ΠΈ , поэтому V BC Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, V B Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ V E ΠΈ V C .

ΠŸΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру выглядит ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Π½Π° самом Π΄Π΅Π»Π΅ V BE Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΎΠΉΡ‚ΠΈ Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния. БущСствуСт мноТСство сокращСний для этого падСния напряТСния β€” V th , V Ξ³ ΠΈ V d β€” нСсколько, ΠΈ фактичСскоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ зависит ΠΎΡ‚ транзистора (ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹). Для ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… транзисторов (ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅) ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ это ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€Π½ΠΎ Π² 0,6 Π’.

Π•Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄ΠΈΠ½ ΠΎΠ±Π»ΠΎΠΌ Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΠΎΡΡ‚ΠΈ: идСальной проводимости ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ эмиттСром ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π½Π΅ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚. ΠœΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ этими ΡƒΠ·Π»Π°ΠΌΠΈ образуСтся нСбольшоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния. Π’ тСхничСских описаниях транзисторов это напряТСниС опрСдСляСтся ΠΊΠ°ΠΊ НапряТСниС насыщСния CE Π’ CE(sat) — напряТСниС ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ для насыщСния. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,05-0,2 Π’. Π­Ρ‚ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V C Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ V E (Π½ΠΎ ΠΎΠ±Π° всС ΠΆΠ΅ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ V B ), Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ пСрСвСсти транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния.

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ. Вранзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ отсСчки Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ — Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° отсутствуСт, Π° Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚ ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра. Π­Ρ‚ΠΎ выглядит ΠΏΠΎΡ‡Ρ‚ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ разомкнутая Ρ†Π΅ΠΏΡŒ.

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ пСрСвСсти транзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки, напряТСниС Π±Π°Π·Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ напряТСниС эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°. V BC ΠΈ V BE ΠΎΠ±Π° Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ.

На самом Π΄Π΅Π»Π΅, V BE ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π³Π΄Π΅-Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ 0 Π’ ΠΈ V th (~0,6 Π’) для достиТСния Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° отсСчки.

Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ

Для Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистор V BE Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС нуля, Π° V BC Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ, Π½ΠΎ большС эмиттСрного. Π­Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ эмиттСр.

На самом Π΄Π΅Π»Π΅ Π½Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ Π½Π΅Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ прямоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния (сокращСнно V th , V Ξ³ , ΠΈΠ»ΠΈ V d ) ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ эмиттСру (V BE ) для Β«Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΡΒ» транзистор. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это напряТСниС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ составляСт ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,6 Π’.

УсилСниС Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅

Активный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ β€” это самый ΠΌΠΎΡ‰Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ устройство Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ . Π’ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π½Π° Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄, усиливаСт Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΠΎΡΡ‚ΡƒΠΏΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ выходящий ΠΈΠ· эмиттСра.

Π‘ΠΎΠΊΡ€Π°Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΠ΅ ΠΎΠ±ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ коэффициСнта усилСния (коэффициСнта усилСния) транзистора: Ξ² (Π²Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΆΠ΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠ°ΠΊ Ξ² F ΠΈΠ»ΠΈ h FE ). Ξ² Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎ связываСт Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ( I C ) с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ Π±Π°Π·Ρ‹ ( I B ):

ЀактичСскоС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ξ² зависит ΠΎΡ‚ транзистора. ΠžΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ это ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 100 , Π½ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Π°Ρ€ΡŒΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒΡΡ ΠΎΡ‚ 50 Π΄ΠΎ 200 … Π΄Π°ΠΆΠ΅ 2000, Π² зависимости ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ транзистор Π²Ρ‹ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΡ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½Π΅Π³ΠΎ. НапримСр, Ссли Π±Ρ‹ ваш транзистор ΠΈΠΌΠ΅Π» Ξ², Ρ€Π°Π²Π½ΠΎΠ΅ 100, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π»ΠΎ Π±Ρ‹, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ 1 мА Π² Π±Π°Π·Ρƒ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ 100 мА Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.

МодСль Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°. V BE = V th ΠΈ I C = Ξ²I B .

Как насчСт Ρ‚ΠΎΠΊΠ° эмиттСра, I E ? Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΈΠ΄ΡƒΡ‚ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ±ΠΎΡ€Π°, Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ I E . Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡΠ²ΡΠ·Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚ΠΎΠΊ эмиттСра с Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π°, Ρƒ нас Π΅ΡΡ‚ΡŒ Π΅Ρ‰Π΅ ΠΎΠ΄Π½ΠΎ постоянноС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅: Ξ± . Ξ± β€” коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ с ΠΎΠ±Ρ‰Π΅ΠΉ Π±Π°Π·ΠΎΠΉ, ΠΎΠ½ соотносит эти Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ²Ρ‹Π΅:

Ξ± ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ, Π½ΠΎ мСньшС 1. Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ I C ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΎ, Π½ΠΎ мСньшС I E Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅.

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Ξ² для вычислСния Ξ±, ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚:

НапримСр, Ссли Ξ² Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 100, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ξ± Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ 0,99. Π’Π°ΠΊ, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ссли I C составляСт 100 мА, Ρ‚ΠΎ I E составляСт 101 мА.

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ

Π’Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ насыщСниС ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ отсСчкС, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡƒ. Вранзистор Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚, Π΄Π°ΠΆΠ΅ усиливаСт, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ, ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ. НСдостатком ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ° являСтся Ξ² (Ξ² R Π² Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠΌ случаС) Π½Π°ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ мСньшС .

Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ пСрСвСсти транзистор Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, напряТСниС Π½Π° эмиттСрС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅ (V BE <0 ΠΈ V BC >0).

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π½Π΅ являСтся состояниСм, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ транзистором. ΠŸΡ€ΠΈΡΡ‚Π½ΠΎ Π·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½ Π΅ΡΡ‚ΡŒ, Π½ΠΎ ΠΎΠ½ Ρ€Π΅Π΄ΠΊΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π² ΠΏΡ€ΠΈΠ»ΠΎΠΆΠ΅Π½ΠΈΠΈ.

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚ΡΡ ΠΊ PNP

ПослС всСго Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎ Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΌΡ‹ Π³ΠΎΠ²ΠΎΡ€ΠΈΠ»ΠΈ Π½Π° этой страницС, ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎ-ΠΏΡ€Π΅ΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ ΠΎΡ…Π²Π°Ρ‚ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠ²ΠΈΠ½Ρƒ спСктра BJT. А ΠΊΠ°ΠΊ ΠΆΠ΅ PNP-транзисторы? PNP Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π²ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠΌ Ρ‚Π°ΠΊ ΠΆΠ΅, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΈ NPN β€” Ρƒ Π½ΠΈΡ… Ρ‚Π΅ ΠΆΠ΅ Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°, β€” Π½ΠΎ всС Π½Π°ΠΎΠ±ΠΎΡ€ΠΎΡ‚. Π§Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, Π² ΠΊΠ°ΠΊΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ находится PNP-транзистор, помСняйтС мСстами всС Π·Π½Π°ΠΊΠΈ < ΠΈ >.

НапримСр, для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Π²ΠΎΠ΄Π° PNP Π² состояниС насыщСния V C ΠΈ V E Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ V B . Π’Ρ‹ опускаСтС Π±Π°Π·Ρƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ PNP, ΠΈ ΠΏΠΎΠ΄Π½ΠΈΠΌΠ°Π΅Ρ‚Π΅ Π΅Π΅ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ. И, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ пСрСвСсти PNP Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ, V E Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким напряТСниСм, Ρ‡Π΅ΠΌ V B , ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ V C .

Π’ΠΊΡ€Π°Ρ‚Ρ†Π΅:

ΠžΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΡ напряТСний Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ NPN Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ PNP
V E < V B < V C Активный РСвСрс
Π’ E < V B > V C ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ°
V E > V B < V C ΠžΡ‚ΡΠ΅Ρ‡ΠΊΠ° ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ
V E > V B > V C РСвСрс Активный

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠΉ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΉ характСристикой NPN ΠΈ PNP являСтся Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠ΅ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°. Π’ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΈ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния Ρ‚ΠΎΠΊ Π² PNP Ρ‚Π΅Ρ‡Π΅Ρ‚ ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ . Π­Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эмиттСр ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π½Π°Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΏΠΎΠ΄ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ высоким напряТСниСм, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€.


Если Π²Ρ‹ устали ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ†Π΅ΠΏΡ‚ΡƒΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… Π²Π΅Ρ‰Π΅ΠΉ, ΠΎΡ‚ΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ Π² ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ€Π°Π·Π΄Π΅Π». Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ способ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ транзистор, β€” это ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ€Π΅Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… схСмах. Π”Π°Π²Π°ΠΉΡ‚Π΅ посмотрим Π½Π° Π½Π΅ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹Π΅ прилоТСния!



Π§Ρ‚ΠΎ это Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ ΠΈ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ

Вранзистор насыщСн? Π§Ρ‚ΠΎ это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚? Π§Ρ‚ΠΎ ΠΆ, этот Ρ‚Π΅Ρ€ΠΌΠΈΠ½ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ смысл Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, Ссли Π²Ρ‹ Π΄ΠΈΠ·Π°ΠΉΠ½Π΅Ρ€ ΠΈΠ»ΠΈ ΠΈΠ½ΠΆΠ΅Π½Π΅Ρ€, Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΎ Π·Π½Π°ΠΊΠΎΠΌΡ‹ΠΉ с транзисторными ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚Π΅Π»ΡΠΌΠΈ.

Если Π½Π΅Ρ‚, Ρ‚ΠΎ Ρ€Π°Π·Π±Π΅Ρ€Π΅ΠΌ.

Когда Π²Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚Π΅ Π΄Π΅Π»ΠΎ с устройствами с Π½ΠΈΠ·ΠΊΠΈΠΌ постоянным Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ, Π½ΠΎΡ€ΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°Ρ‚ΡŒ ΠΈΡ…. А Π΄ΠΎΠ±ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ этого ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ транзисторных ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅ΠΉ. Но транзистор Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π² состоянии насыщСния, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΈΠ»ΠΈ Π²Ρ‹ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ устройство постоянного Ρ‚ΠΎΠΊΠ°.

Π”Π°Π»Π΅Π΅ Π² этой ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ ΠΌΡ‹ ΠΏΠΎΠ΄Ρ€ΠΎΠ±Π½Π΅Π΅ обсудим эту Ρ‚Π΅ΠΌΡƒ, ΠΏΠΎΠΊΠ°ΠΆΠ΅ΠΌ Π²Π°ΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹, расчСты ΠΈ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎΠ΅ Π΄Ρ€ΡƒΠ³ΠΎΠ΅.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, приступим!

Π§Ρ‚ΠΎ Ρ‚Π°ΠΊΠΎΠ΅ насыщСниС транзистора?

НасыщСниС происходит, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° систСма достигаСт ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ»ΠΈ максимального значСния. Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, транзистор Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Π΅Ρ‚ Π² Π·ΠΎΠ½Π΅ насыщСния, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Ρ‚ΠΎΠΊ достигаСт максимального Π·Π°Π΄Π°Π½Π½ΠΎΠ³ΠΎ значСния.

НапримСр, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ Π½Π°Π»ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚Π΅ ΠΆΠΈΠ΄ΠΊΠΎΡΡ‚ΡŒ Π² стакан Π΄ΠΎ ΠΊΡ€Π°Π΅Π² β€” ΠΎΠ½ находится Π² состоянии насыщСния. И это ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π΅Ρ€ΠΊΠ°Π»ΠΎ Π½Π΅ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ большС ΠΏΠΈΡ‚ΡŒ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ‹ измСняСтС ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ транзистора, ΠΎΠ½ быстро мСняСт ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ насыщСния.

Но Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ настройкС транзисторов устройство Π½Π΅ достигаСт Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ насыщСния. И это ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·Π°-ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π΅ остаСтся Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠ³ΠΎ смСщСния. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналах Π±ΡƒΠ΄ΡƒΡ‚ искаТСния.

КакиС Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹?

Вранзисторы Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Π°ΡŽΡ‚ Π² Ρ‡Π΅Ρ‚Ρ‹Ρ€Π΅Ρ… Ρ€Π°Π·Π»ΠΈΡ‡Π½Ρ‹Ρ… Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ°Ρ…, ΠΏΠΎΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΡƒ ΠΎΠ½ΠΈ ΡΠ²Π»ΡΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π΅Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ устройствами. А ΠΌΠΎΠ΄Ρ‹ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π½ΠΈΡ… (Ρ‚. Π΅. ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° NPN ΠΊ эмиттСру).

Вранзистор NPN

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ссли Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ транзистора, Π²Ρ‹ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ Π²Π½ΠΈΠΌΠ°Π½ΠΈΠ΅ Π½Π° ΡΠΎΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΈ напряТСния Ρ‚Ρ€Π΅Ρ… ΠΊΠΎΠ½Ρ‚Π°ΠΊΡ‚ΠΎΠ².

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, V BC β€” это напряТСниС, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ΅ двиТСтся ΠΎΡ‚ Π±Π°Π·Ρ‹ ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ, Π° V BE относится ΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ, двиТущСмуся ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΠ»Π° ΠΊ эмиттСру. Π’Π΅ΠΌ Π½Π΅ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅, Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΡ‹ Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρ‹ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π°ΡŽΡ‚:

Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния

Когда транзистор находится Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния, ΠΎΠ½ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½. Плюс Π²Π΅Π΄Π΅Ρ‚ сСбя ΠΊΠ°ΠΊ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ΅ Π·Π°ΠΌΡ‹ΠΊΠ°Π½ΠΈΠ΅ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Ρ‹ транзистора ΡΠΌΠ΅Ρ‰Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π² прямом Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. А прямоС смСщСниС β€” это ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° V BE ΠΈ V BC большС нуля. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V B Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ V C ΠΈ V E .

Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, для ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° транзистора Π² состояниС насыщСния напряТСниС V BE Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎΠ²ΠΎΠ³ΠΎ значСния. Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния с ΠΏΠΎΠΌΠΎΡ‰ΡŒΡŽ Π½Π΅ΡΠΊΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΈΡ… сокращСний, Ρ‚Π°ΠΊΠΈΡ… ΠΊΠ°ΠΊ V d , V th ΠΈ Ρ‚. Π΄., ΠΏΡ€ΠΈΡ‡Π΅ΠΌ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ отличаСтся ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ транзисторами ΠΈ Π΄Π°ΠΆΠ΅ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€ΠΎΠΉ.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΏΡ€ΠΈ ΠΊΠΎΠΌΠ½Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅ΠΌ ΠΎΡ†Π΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΠ΅ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния ΠΎΠΊΠΎΠ»ΠΎ 0,6Π’.

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρƒ вас ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ°Ρ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ ΠΈ эмиттСром. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π²Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚Π΅ нСбольшоС ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° ΡƒΠ·Π»Π°Ρ….

ΠŸΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ часто ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡŽΡ‚ это напряТСниС Π² описаниях транзисторов ΠΊΠ°ΠΊ V CE(sat) (напряТСниС насыщСния CE). И Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ V CE(Sat) ΠΊΠ°ΠΊ напряТСниС ΠΎΡ‚ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΊ эмиттСру, Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎΠ΅ транзисторам для насыщСния.

Π—Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ V CE(Sat) находится Π² Π΄ΠΈΠ°ΠΏΠ°Π·ΠΎΠ½Π΅ 0,05–0,2 Π’. И сдСлка ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ V C Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π½Π΅ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ V E , Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΡˆΠ΅Π» Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, V C ΠΈ V E Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ мСньшС, Ρ‡Π΅ΠΌ V B .

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ

ΠžΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎ-Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ Π²ΠΎΠ·Π½ΠΈΠΊΠ°Π΅Ρ‚, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° транзистор усиливаСт ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚, Π½ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ двиТСтся Π² ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ (ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ).

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ транзистор Π±Ρ‹Π» Π² Π½Π΅Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅, напряТСниС Π½Π° эмиттСрС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° Π±Π°Π·Π΅. И это напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ большС ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, V C < V B < V E .

ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Π½Π΅Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ ΡƒΠ²ΠΈΠ΄Π΅Ρ‚ΡŒ, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΡ€ΠΎΠΈΠ·Π²ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚Π΅Π»ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€Π°Π±Π°Ρ‚Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½Ρ‹ΠΉ рСвСрсивный Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ для прилоТСния. И это ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эта модСль Π½Π΅ управляСт транзистором.

Активный

Вранзистор V BC ΠΈ V BE Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ€Π΅Π΄Π½Ρ‹ΠΌ ΠΈ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ нуля Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ соотвСтствСнно. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, это ΠΎΠ·Π½Π°Ρ‡Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½ΠΎ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° эмиттСрС, Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅, Ρ‡Π΅ΠΌ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅.

Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ эмиттСра, Ρ‚.Π΅. V C >V B >V E . Π˜Π½Ρ‚Π΅Ρ€Π΅ΡΠ½ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ эта модСль являСтся Π½Π°ΠΈΠ±ΠΎΠ»Π΅Π΅ ΠΌΠΎΡ‰Π½ΠΎΠΉ ΠΌΠΎΠ΄ΠΎΠΉ транзистора, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΎΠ½Π° ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ устройство Π² ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ.

Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, Ρ‚ΠΎΠΊ, ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰ΠΈΠΉ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ ΡˆΡ‚ΠΈΡ„Ρ‚, увСличиваСтся. Π’ Ρ€Π΅Π·ΡƒΠ»ΡŒΡ‚Π°Ρ‚Π΅ Π²Π΅Ρ‚Π΅Ρ€, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ двиТСтся Π² ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚ ΠΈΠ· эмиттСра.

IC = BI B

Π“Π΄Π΅:

IC = Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ†ΠΈΠΎΠ½Π΅Ρ€Π°

B = ΠšΠΎΡΡ„Ρ„ΠΈΡ†ΠΈΠ΅Π½Ρ‚ усилСния

I B = Π‘Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ

Cut-Off

. β€” Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚ΠΈΠ²ΠΎΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½ΠΈΡŽ. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π² этом Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ транзистор Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌΠΊΠ½ΡƒΡ‚ΡƒΡŽ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ, ΠΏΠΎΡ‚ΠΎΠΌΡƒ Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² Π½Π΅ΠΌ ΠΎΡ‚ΡΡƒΡ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° ΠΈ эмиттСра.

Как пСрСвСсти транзистор Π² этот Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ? Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΡΠ΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ это, обСспСчив, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСния эмиттСра ΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° Π±Ρ‹Π»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ, Ρ‡Π΅ΠΌ Π±Π°Π·ΠΎΠ²ΠΎΠ΅ напряТСниС. Π”Ρ€ΡƒΠ³ΠΈΠΌΠΈ словами, значСния V BE ΠΈ V BC Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌΠΈ.

Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π΄ΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌ отсСчки ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ:

V C > V B

V E > V B

ΠžΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π² ΡΡ‚Π°Ρ‚ΡŒΠ΅ транзисторы PN ΡƒΠΏΠΎΠΌΠΈΠ½Π°ΡŽΡ‚ΡΡ ΠΊΠ°ΠΊ N. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, для транзистора PNP Ρƒ вас Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ характСристика, противополоТная NPN. НапримСр, Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния PNP-транзисторов Ρ‚ΠΎΠΊ двиТСтся ΠΎΡ‚ эмиттСра ΠΊ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Ρƒ.

Also, you can reference the table below for a better understanding:

NPN MODE VOLTAGE RELATIONS PNP MODE
Reverse V E > V B > V C Active
. 0258 ΠΠ°ΡΡ‹Ρ‰Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ V E B > V C CUT-OFF
ACTION V 7888888777777777777777137. 37137137137137137137137137137137137. 37. 37. . .

Как Ρ€Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ насыщСниС транзистора

Π Π°ΡΡΡ‡ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ насыщСниС транзистора Π»Π΅Π³ΠΊΠΎ, Ссли Π΅ΡΡ‚ΡŒ кривая, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΠ·ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ. Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Ссли ваша кривая ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ напряТСния Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 0 Π’, Π° Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅ β€” ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠΉΡ‚Π΅ Π·Π°ΠΊΠΎΠ½ Ома.

Π’Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Π²Ρ‹ смоТСтС ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ Π²Ρ‹Π²ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ ΠΈ эмиттСр) транзистора ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ: β€” Β  = 0 Π’Ρ‚

Β Β Β Β Β Β Β Β Β  Β  I C Β  Β  Β  Β  Β  Β  I C(Sat)

Π§Ρ‚ΠΎ Π΄Π΅Π»Π°Ρ‚ΡŒ, Ссли Π²Π°ΠΌ Π½ΡƒΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ насыщСния Π² Ρ†Π΅ΠΏΠΈ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π° транзистора? Π’Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΡƒΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ это, приняв ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΊΠΎΡ€ΠΎΡ‚ΠΊΠΎΠ³ΠΎ замыкания Π½Π° CE устройства (ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€-эмиттСр). Π—Π°Ρ‚Π΅ΠΌ ΠΏΠΎΠ΄ΡΡ‚Π°Π²ΡŒΡ‚Π΅ Π΅Π³ΠΎ Π² Ρ„ΠΎΡ€ΠΌΡƒΠ»Ρƒ Π²Ρ‹ΡˆΠ΅. МоТно ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒ Π’ CE ΠΊΠ°ΠΊ 0V ΠΈ Π²Ρ‹Ρ‡ΠΈΡΠ»ΠΈΡ‚ΡŒ для V CE(Sat) .

Π’Π°ΠΊΠΆΠ΅, Ссли схСма ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΊΠΎΠ½Ρ„ΠΈΠ³ΡƒΡ€Π°Ρ†ΠΈΡŽ с фиксированным смСщСниСм, Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Π°Ρ‚ΡŒ заявку Π½Π° ΠΊΡ€Π°Ρ‚ΠΊΠΈΠΉ курс. Π‘Π»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ, RC (напряТСниС Π½Π° стыкС) Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ V CC . И Π²Ρ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚Π΅ Π²Ρ‹Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ условиС, ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½ΠΎ Π½ΠΈΠΆΠ΅.

  • I C(Sat) Β =Β  V CC/RC Β 

Как ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ, насыщСн Π»ΠΈ транзистор?

Π Π°Π±ΠΎΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ с транзистором Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния нСпросто, Π½ΠΎ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Π²Π°ΠΆΠ½ΠΎ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ свою Ρ€Π°Π±ΠΎΡ‚Ρƒ Π² Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠ²Π½ΠΎΠΉ области, Ссли Π²Ρ‹ Ρ…ΠΎΡ‚ΠΈΡ‚Π΅ ΡƒΠΏΡ€Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ своим транзисторным усилитСлСм. Π’ΠΎΡ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ²Π΅Ρ€Π΅Π½Π½Ρ‹Π΅ способы ΡƒΠ·Π½Π°Ρ‚ΡŒ насыщСнный транзистор:

1. Π’Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ фактичСского измСрСния

2. ΠœΠΎΠ΄Π΅Π»ΠΈΡ€ΠΎΠ²Π°Π½ΠΈΠ΅ΠΌ β€” Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠΈΠΉ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄, Ρ‡Π΅ΠΌ ΠΏΡ€Π΅Π΄Ρ‹Π΄ΡƒΡ‰ΠΈΠΉ

3. ВычислСниС β€” старый ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄, Π΄Π΅ΡˆΠ΅Π²Ρ‹ΠΉ ΠΈ Π±Π΅Π· ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΉ. Один ΠΈΠ· способов использования этого ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄Π° β€” ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚ΡŒ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ†Π΅ΠΏΡŒ насыщСна. ΠŸΡ€ΠΈ этом Ρ€Π΅ΡˆΠΈΡ‚Π΅ для максимального усилСния курса.

Вранзистор Π² Ρ€Π΅ΠΆΠΈΠΌΠ΅ насыщСния: Π Π΅ΠΆΠΈΠΌ насыщСния транзистора — тСория ΠΈ ΠΏΡ€Π°ΠΊΡ‚ΠΈΠΊΠ°