Что такое прямое напряжение. Чем отличается прямой диод от обратного диода. Обратное и прямое напряжение2.1. Пороговое напряжениеОтсюда следует: Iддп = Tпдп −T0 . В силу постоянстваUп = 1В мощ- RТ ность, выделяющаяся в диоде, определяется средним током через диод. Тогда Iд дп= Iср дп. По этой причине средний ток через диод, оговариваемый в технической документации, является допустимым значением среднего тока при комнатной температуре. С увеличением температуры окружающей среды этот ток должен соответственно уменьшаться во избежание выхода диода из строя. Увеличение Iср дп возможно за счет уменьшенияRТ. Это означает необходимость увеличения теплоотводящей поверхности диода, то есть добавления к нему теплоотвода. Как следует из изложенного, Iср дп является мерой допустимой мощности рассеяния в диоде. Так диод со средним током в 1А в состоянии рассеять при комнатной температуре мощность, приблизительно равную 1 Вт. Таким образом, для каждого конкретного типа прибора существует понятие тока, допустимого при комнатной температуре, превышение которого приводит к сгоранию диода. Номинальный ток, как ток, гарантирующий надежную эксплуатацию диода, выбирается меньше допустимого. Номинальный ток через диод уменьшается с ростом температуры окружающей среды. Его можно и увеличивать посредством уменьшения RТ. Это достигается увеличением теплоотводящей поверхности диода – к корпусу диода присоединяют специальный конструктивный элемент называемый теплоотводом. 2.3. Пиковый (максимальный) токПиковые или максимальные токи через диод могут существенно превышать их номинальные значения. Вопрос о пиковых токах более сложен, нежели о номинальных. Допустимые значения пиковых токов в диодах зависят не только от величин, но и длительности, а также от частоты их повторения. Так при частоте порядка 50 Гц пиковые токи длительностью 5 мс могут превышать номинальные в 10 – 20 раз. При уменьшении длительности до 2 мс импульсы токов могут превышать номинальный ток в 50 – 100 раз. Чаще всего фактические характеристики импульсных токов в электрических цепях трудно определимы. По этой причине лучше не допускать превышения их официальных допустимых значений. 2.4. Обратный ток диодаОбратный ток при комнатной температуре пренебрежимо мал в кремниевых приборах, но существенен в германиевых. К сожалению, этот ток studfiles.net P-N-переход и диод. | HomeElectronicsКак упоминалось ранее электропроводность полупроводников сильно зависит от концентрации примесей. Полупроводники, электрофизические свойства которых зависят от примесей других химических элементов, называются примесными полупроводниками. Примеси бывают двух видов донорной и акцепторной. Донорной называется примесь, атомы которой дают полупроводнику свободные электроны, а получаемая в этом случае электропроводность, связанная с движением свободных электронов, — электронной. Полупроводник с электронной проводимостью называется электронным полупроводником и условно обозначается латинской буквой n — первой буквой слова «негативный». Рассмотрим процесс образования электронной проводимости в полупроводнике. За основной материал полупроводника возьмём кремний (кремниевые полупроводники самые распространённые). У кремния (Si) на внешней орбите атома есть четыре электрона, которые обуславливают его электрофизические свойства (т.е. они перемещаясь под действием напряжения создают электрический ток). При введении в кремний атомов примеси мышьяка (As), у которого на внешней орбите пять электронов, четыре электрона вступают во взаимодействие с четырьмя электронами кремния, образуя ковалентную связь, а пятый электрон мышьяка остаётся свободным. При этих условиях он легко отделяется от атома и получает возможность перемещаться в веществе. Акцепторной называется примесь, атомы которой принимают электроны от атомов основного полупроводника. Получаемая при этом электропроводность, связанная с перемещением положительных зарядов — дырок, называется дырочной. Полупроводник с дырочной электропроводностью называется дырочным полупроводником и условно обозначается латинской буквой p — первой буквой слова «позитивный». Рассмотрим процесс образования дырочной проводимости. при введении в кремний атомов примеси индия (In), у которого на внешней орбите три электрона, они вступают в связь с тремя электронами кремния, но эта связь оказывается неполной: не хватает ещё одного электрона для связи с четвёртым электроном кремния. Атом примеси присоединяет к себе недостающий электрон от одного из расположенных поблизости атомов основного полупроводника, после чего он оказывается связанным со всеми четырьмя соседними атомами. Благодаря добавлению электрона он приобретает избыточный отрицательный заряд, то есть превращается в отрицательный ион. В тоже время атом полупроводника, от которого к атому примеси ушёл четвёртый электрон оказывается связанным с соседними атомами только тремя электронами. таким образом, возникает избыток положительного заряда и появляется незаполненная связь, то есть дырка. Одним из важных свойств полупроводника является то, что при наличии дырок через него может проходить ток, даже если в нём нет свободных электронов. Это объясняется способностью дырок переходить с одного атома полупроводника на другой.  Перемещение «дырок» в полупроводнике Вводя в часть полупроводника донорную примесь, а в другую часть — акцепторную, можно получить в нём области с электронной и дырочной проводимостью. На границе областей электронной и дырочной проводимости образуется так называемый электронно-дырочный переход. P-N-переходРассмотрим процессы происходящий при прохождении тока через электронно-дырочный переход. Левый слой, обозначенный буквой n, имеет электронную проводимость. Ток в нём связан с перемещением свободных электронов, которые условно обозначены кружками со знаком «минус». Правый слой, обозначенный буквой p, обладает дырочной проводимостью. Ток в этом слое связан с перемещением дырок, которые на рисунке обозначены кружками с «плюсом».  Движение электронов и дырок в режиме прямой проводимости Движение электронов и дырок в режиме обратной проводимости. При соприкосновении полупроводников с различными типами проводимости электроны вследствие диффузии начнут переходить в p-область, а дырки — в n-область, в результате чего пограничный слой n-области заряжается положительно, а пограничный слой p-области — отрицательно. Между областями возникает электрическое поле, которое является как бы барьеров для основных носителей тока, благодаря чему в p-n переходе образуется область с пониженной концентрацией зарядов. Электрическое поле в p-n переходе называют потенциальным барьером, а p-n переход — запирающим слоем. Если направление внешнего электрического поля противоположно направлению поля p-n перехода («+» на p-области, «-» на n-области), то потенциальный барьер уменьшается, возрастает концентрация зарядов в p-n переходе, ширина и, следовательно, сопротивление перехода уменьшается. При изменении полярности источника внешнее электрическое поле совпадает с направлением поля p-n перехода, ширина и сопротивление перехода возрастает. Следовательно, p-n переход обладает вентильными свойствами. Полупроводниковый диодДиодом называется электро преобразовательный полупроводниковый прибор с одним или несколькими p-n переходами и двумя выводами. В зависимости от основного назначения и явления используемого в p-n переходе различают несколько основных функциональных типов полупроводниковых диодов: выпрямительные, высокочастотные, импульсные, туннельные, стабилитроны, варикапы. Основной характеристикой полупроводниковых диодов является вольт-амперная характеристика (ВАХ). Для каждого типа полупроводникового диода ВАХ имеет свой вид, но все они основываются на ВАХ плоскостного выпрямительного диода, которая имеет вид:  Вольт-амперная характеристика (ВАХ) диода: 1 — прямая вольт-амперная характеристика; 2 — обратная вольт-амперная характеристика; 3 — область пробоя; 4 — прямолинейная аппроксимация прямой вольт-амперной характеристики; Uпор — пороговое напряжение; rдин — динамическое сопротивление; Uпроб — пробивное напряжение Масштаб по оси ординат для отрицательных значений токов выбран во много раз более крупным, чем для положительных. Вольт-амперные характеристики диодов проходят через нуль, но достаточно заметный ток появляется лишь при пороговом напряжении (Uпор), которое для германиевых диодов равно 0,1 — 0,2 В, а у кремниевых диодов равно 0,5 — 0,6 В. В области отрицательных значений напряжения на диоде, при уже сравнительно небольших напряжениях (Uобр.) возникает обратный ток (Іобр). Этот ток создается неосновными носителями: электронами р-области и дырками n-области, переходу которых из одной области в другую способствует потенциальный барьер вблизи границы раздела. С ростом обратного напряжения увеличение тока не происходит, так как количество неосновных носителей, оказывающихся в единицу времени на границе перехода, не зависит от приложенного извне напряжения, если оно не очень велико. Обратный ток для кремниевых диодов на несколько порядков меньше, чем для германиевых. Дальнейшее увеличение обратного напряжения до напряжения пробоя (Uпроб) приводит к тому что электроны из валентной зоны переходят в зону проводимости, возникает эффект Зенера. Обратный ток при этом резко увеличивается, что вызывает нагрев диода и дальнейшее увеличение тока приводит к тепловому пробою и разрушению p-n-перехода. Обозначение и определение основных электрических параметров диодов Обозначение полупроводникового диода Как указывалось ранее диод в одну сторону ток проводит (т. е. представляет собой в идеале просто проводник с малым сопротивлением), в другую – нет (т. е. превращается в проводник с очень большим сопротивлением), одним словом, обладает односторонней проводимостью. Соответственно выводов у него всего два. Они как повелось ещё со времён ламповой техники, называются анодом (положительным выводом) и катодом (отрицательным). Все полупроводниковые диоды можно разделить на две группы: выпрямительные и специальные. Выпрямительные диоды, как следует из самого названия, предназначены для выпрямления переменного тока. В зависимости от частоты и формы переменного напряжения они делятся на высокочастотные, низкочастотные и импульсные. Специальные типы полупроводниковых диодов используют различные свойства p-n-переходов; явление пробоя, барьерную емкость, наличие участков с отрицательным сопротивлением и др. Выпрямительные диодыКонструктивно выпрямительные диоды делятся на плоскостные и точечные, а по технологии изготовления на сплавные, диффузионные и эпитаксиальные. Плоскостные диоды благодаря большой площади p-n-перехода используют для выпрямления больших токов. Точечные диоды имеют малую площадь перехода и, соответственно, предназначены для выпрямления малых токов. Для увеличения напряжения лавинного пробоя используют выпрямительные столбы, состоящие из ряда последовательно включенных диодов. Выпрямительные диоды большой мощности называют силовыми. Материалом для таких диодов обычно служит кремний или арсенид галлия. Кремниевые сплавные диоды используют для выпрямления переменного тока с частотой до 5 кГц. Кремниевые диффузионные диоды могут работать на повышенной частоте, до 100 кГц. Кремниевые эпитаксиальные диоды с металлической подложкой (с барьером Шотки) могут использоваться на частотах до 500 кГц. Арсенидгалиевые диоды способны работать в диапазоне частот до нескольких МГц. Силовые диоды обычно характеризуются набором статических и динамических параметров. К статическим параметрам диода относятся:
К динамическим параметрам диода относятся его временные и частотные характеристики. К таким параметрам относятся:
Статические параметры можно установить по вольт-амперной характеристике диода. Время обратного восстановления диода tвос является основным параметром выпрямительных диодов, характеризующим их инерционные свойства. Оно определяется при переключении диода с заданного прямого тока Iпр на заданное обратное напряжение Uобр. Во время переключения напряжение на диоде приобретает обратное значение. Из-за инерционности диффузионного процесса ток в диоде прекращается не мгновенно, а в течении времени tнар. По существу, происходит рассасывание зарядов на границе p-n-перехода (т. е. разряд эквивалентной емкости). Из этого следует, что мощность потерь в диоде резко повышается при его включении, особенно, при выключении. Следовательно, потери в диоде растут с повышением частоты выпрямляемого напряжения. При изменении температуры диода изменяются его параметры. Наиболее сильно от температуры зависят прямое напряжение на диоде и его обратный ток. Приблизительно можно считать, что ТКН (температурный коэффициент напряжения) Uпр = -2 мВ/К, а обратный ток диодаимеет положительный коэффициент. Так при увеличении температуры на каждые 10 °С обратный ток германиевых диодов увеличивается в 2 раза, а кремниевых – 2,5 раз. Диоды с барьером ШоткиДля выпрямления малых напряжений высокой частоты широко используются диоды с барьером Шотки. В этих диодах вместо p-n-перехода используется контакт металлической поверхности с полупроводником. В месте контакта возникают обеднённые носителями заряда слои полупроводника, которые называются запорными. Диоды с барьером Шотки отличаются от диодов с p-n-переходом по следующим параметрам:
Две основные характеристики делают эти диоды незаменимыми: малое прямое падение напряжения и малое время восстановления обратного напряжения. Кроме того, отсутствие неосновных носителей, требующих время на обратное восстановление, означает физическое отсутствие потерь на переключение самого диода. Максимальное напряжение современных диодов Шотки составляет около 1200 В. При этом напряжении прямое напряжение диода Шотки меньше прямого напряжения диодов с p-n-переходом на 0,2…0,3 В. Преимущества диода Шотки становятся особенно заметны при выпрямлении малых напряжений. Например, 45-вольтный диод Шотки имеет прямое напряжение 0,4…0,6 В, а при том же токе диод с p-n-переходом имеет падение напряжения 0,5…1,0 В. При понижении обратного напряжения до 15 В прямое напряжение уменьшается до 0,3…0,4 В. В среднем применение диодов Шотки в выпрямителе позволяет уменьшить потери примерно на 10…15 %. Максимальная рабочая частота диодов Шотки превышает 200 кГц. Теория это хорошо, но теория без практики - это просто сотрясание воздуха. Перейдя по ссылке всё это можно сделать своими руками Скажи спасибо автору нажми на кнопку социальной сети www.electronicsblog.ru Основные параметры диодов, прямой ток диода, обратное напряжение диодаОсновные параметры диодов - это прямой ток диода (Iпр) и максимальное обратное напряжение диода (Uобр). Именно их надо знать, если стоит задача разработать новый выпрямитель для источника питания. Прямой ток диодаПрямой ток диода можно легко вычислить, если известен общий ток, который будет потреблять нагрузка нового блока питания. Затем, для обеспечения надёжности, необходимо несколько увеличить это значение и получится ток, на который надо подобрать диод для выпрямителя. К примеру, блок питания должен выдерживать ток в 800 мА. Поэтому мы выбираем диод, у которого прямой ток диода равен 1А. Обратное напряжение диодаМаксимальное обратное напряжение диода - это параметр, который зависит не только от значения переменного напряжения на входе, но и от типа выпрямителя. Для объяснения этого утверждения, рассмотрим следующие рисунки. На них показаны все основные схемы выпрямителей.  Рис. 1 Как мы говорили ранее, напряжение на выходе выпрямителя (на конденсаторе) равно действующему напряжению вторичной обмотки трансформатора, умноженному на √2. В однополупериодном выпрямителе (рис. 1), когда напряжение на аноде диода имеет положительный потенциал относительно земли, конденсатор фильтра заряжается до напряжения, превышающего действующее напряжение на входе выпрямителя в 1.4 раза. Во время следующего полупериода напряжение на аноде диода отрицательно относительно земли и достигает амплитудное значения, а на катоде - положительно относительно земли и имеет такое же значение. В этот полупериод к диоду приложено обратное напряжение, которое получается благодаря последовательному соединению обмотки трансформатора и заряженного конденсатора фильтра. Т.е. обратное напряжение диода должно быть не меньше двойного амплитудного напряжения вторички трансформатора или в 2.8 раза выше его действующего значения. При расчёте таких выпрямителей надо выбирать диоды с максимальным обратным напряжением в 3 раза превышающим действующее значение переменного напряжения.  Рис. 2 На рисунке 2 изображён двухполупериодный выпрямитель с выводом средней точки. В нём также, как и в предыдущем, диоды надо подбирать с обратным напряжением в 3 раза превышающем действующее значение входного.  Рис. 3 По другому обстоит дело в случае мостового двухполупериодного выпрямителя. Как можно видеть на рис. 3, в каждый из полупериодов удвоенное напряжение прикладывается к двум непроводящим, последовательно соединённым диодам. katod-anod.ru
dpanorama.ru Обратное напряжение - пробой - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1Обратное напряжение - пробойCтраница 1 Обратное напряжение пробоя ( для нелавинных тиристоров) и прямое напряжение пробоя не относятся к основным параметрам тиристоров и в каталожно-спра-вочных и информационных материалах, как правило, не указываются. Они используются предприятиями-изготовителями для установления максимально допустимых значений параметров тиристоров по напряжению в закрытом и обратном непроводящем состояниях. [1] Обратное напряжение пробоя тиристора ( / проб определяют аналогично напряжению включения, но при обратных полярностях источни. Кнопка Кн при этом должна быть разомкнута. [2] Максимальное напряжение резистора ограничено обратным напряжением пробоя p - n - перехода. Величина этого напряжения зависит только от концентрации примесей в материале. [3] Однако при изготовлении легированных диодов с большим обратным напряжением пробоя ( свыше 120 - 150 в) для получения чистых высокоомных слоев, а также для многослойных структур необходимы резкие переходы со скачкообразным изменением концентрации носителей на границе. [5] Для тиристоров, как и для диодов, вводят параметр обратное напряжение пробоя [ / роб - значение обратного напряжения, при котором обратный ток превышает заданное значение. Для лавинных тиристоров этот параметр является обязательным. [6] При разработке схем следует учитывать, что напряжение на резисторе ограничено обратным напряжением пробоя диода, а в высокочастотных схемах сказывается распределенная емкость. [7] Эти кристаллики, длина которых может достигать миллиметра, могут располагаться поперек р - n - переходов и сильно уменьшать величину обратного напряжения пробоя в диодах. [8] В качестве стабилитронов в интегральных схемах могут работать три р - n - перехода стандартного интегрального транзистора: база-эмиттер, база-коллектор, коллектор-подложка. Обратное напряжение пробоя каждого из этих переходов определяется степенью легирования кремния. Для переходов база - коллектор и коллектор-подложка это напряжение равно примерно 45 В. Обратное пробивное напряжение перехода база-эмиттер из-за гораздо более высокой степени легирования эмиттерной области находится в пределах 6 - 7 В, мало зависит от обратного тока пробоя ( в пределах 1 мкА - 1 мА) и безопасно для р - - перехода, если не превышена допустимая мощность, рассеиваемая данной интегральной структурой. Такой стабилитрон является основным в схемотехнике монолитных интегральных схем, так как получение его не требует введения дополнительных процессов в стандартный технологический цикл интегральных схем. [9] Рассмотрим управляемый выпрямитель без сигнала, приложенного к затвору, имеющий прямое напряжение выше напряжения пробоя ( отпирания) 200 в. Предполагаем, что обратное напряжение пробоя значительно выше. Вольт-амперная характеристика показана на рис. 6 - 81, а соотношения напряжений в приборе, установленном в цепи обратного тока, показаны на рис. 6 - 82, а. На этом рисунке для большей ясности в преувеличенном масштабе показаны потери, соответствующие падению прямого напряжения в период проводимости и прямой и обратной утечек в период блокирования. [11] Интегральная схема LF155 / 6 / 7 представляет собой операционный усилитель с входами на полевых транзисторах с р - - переходом. Полевые транзисторы с р - п-переходом имеют большое обратное напряжение пробоя между затвором, истоком и стоком, это устраняет необходимость ограничения напряжения на входах. [12] В блокинг-генераторах с большими паузами между импульсами во входную цепь включают полупроводниковый диод с большим обратным напряжением и малым током насыщения. В этом случае пауза между импульсами определяется гл. Включение диода необходимо также при применении дрейфовых транзисторов с низким обратным напряжением пробоя эмиттсрного р - л-перехода. Применение высокочастотных, дрейфовых транзисторов и трансформаторов с ферромагнитными сердечниками ( с большой проницаемостью и малыми потерями) позволяет генерировать импульсы к 10 - 7 сек с фронтами - 10 8 сек. [14] При соответствующей конструкции диода ( § 2.8) это излучение может быть выведено наружу. Следовательно, в р - i - - диоде с гетеропереходами снижаются оба вида потерь, что приводит к уменьшению тепловыделения. Поэтому такой диод может пропускать значительно большие плотности тока в прямом направлении, чем обычный. Обратное напряжение пробоя такой структуры так же велико, как в для обычного р - i-и-диода. [15] Страницы: 1 www.ngpedia.ru Помогите решить / разобраться (Ф)Единственно что у меня осталось по этому вопросу -- так это то, что при прямом подключении через барьер туннелируют электроны. И там соответственно уже через статистику Ферми-Дирака и тому как разряжаются уровни по мере приближения к запрещенной зоне указывается как возникает ВАХ при прямом включении.При обратном включении -- туннелируют дырки. И я как сейчас помню, что в книге говорилось, что для дырок ширина запрещенной зоны влияет слабо на вероятность туннелирования. И из этого брали какой-то вывод, точно сейчас не подскажу. -- 26.12.2013, 03:58 -- А сейчас немного пораскинул мозгами и пришел вот к чему: Когда мы накладываем статистику ферми на функцию разряжения уровней по мере приближения к запрещенной зоне -- мы получаем характерную кривую с максимумом электронов на каком-то уровне в зоне проводимости полупроводника n-типа. Для полупроводника p-типа мы должны получить такую же кривую, только для дырок в валентной зоне. При туннелировании электрон не может поменять свою энергию и может попасть только в ту область, где уже есть дырка. Когда мы прикладываем прямое напряжение, то мы как бы опускаем ту кривую плотности электронов в полупроводнике n-типа. Из-за того что есть максимум у кривых - то будет максимум и у ВАХ диода, после этого максимума будет спад, электронам просто некуда будет туннелировать. Когда же мы прикладываем обратное напряжение -- то мы смещаем кривую плотности электронов в полупроводнике n-типа вверх. Туннелировать будут дырки. А дырок в валентной зоне полупроводника n-типа нету. Вот и будет туннелировать вся та часть дырок, энергия которых достаточна чтобы существовать в валентной зоне второго полупроводника. Понятно, что по мере увеличения обратного напряжения количество этих дырок будет только расти. Так что ВАХ будет только возрастать. Знаю, объяснение несколько муторное и возможно непонятно. Но, думаю, если полазить по книгам и понять, про какие кривые я говорю -- то проблем не должно возникнуть. dxdy.ru 96. Почему возрастает поток носителей, если к диоду подвести прямое напряжение?
При подаче на р-n-переход внешнего напряжения процессы зависят от его полярности. Внешнее напряжение, подключенное плюсом к р-области, а минусом к n-области, называют прямым напряжением U. Полярность внешнего напряжения U противоположна полярности на p-n-переходе Е, поэтому электрическое поле, созданное на р-n-переходе внешним напряжением направлено навстречу внутреннему электрическому полю. В результате этого потенциальный барьер понижается на величину U: ϕ=ϕо-U Прямой ток создается встречным движением дырок и электронов через p-n-переход, направление его соответствует направлению движения положительных носителей заряда – дырок. Во внешней цепи прямой ток протекает от плюса источника прямого напряжения через полупроводниковый кристалл к минусу источника. 97 Как по вах диода определить прямой ток и обратное напряжение?
98.Каковы основные параметры биполярного транзистора и их вахПараметры биполярного транзистора К основным параметрам транзистора относятся: B = Iк / Iб Его величина находится а пределах 50…250
при Uкэ = const
Коэффициенты α0 и α практически одинаковы. Их значения находятся в пределах 0,9…0,998 и являются функциями температуры и напряжения Uкэ
при Uбэ = const
при Uкэ = const Входная характеристика биполярного транзистора – это зависимость тока базы Iб от напряжения база-эмиттер Uбэ при фиксированном значении напряжения коллектор-эмиттер Uкэ: Iб = f (Uбэ) Uкэ = const. Выходной характеристикой называют зависимость тока коллектора Iк от напряжения коллектор-эмиттер Uкэ при фиксированном токе базы: Iк =f (Uкэ) I б = const
99. Биполярные транзисторы и физические процессы в активном режиме их работы.Биполярный транзистор - электронный полупроводниковый прибор, один из типов транзисторов, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических сигналов. Транзистор называется биполярный, поскольку в работе прибора одновременно участвуют два типа носителей заряда – электроны и дырки. Этим он отличается отуниполярного (полевого) транзистора, в работе которого участвует только один тип носителей заряда. В рабочем режиме биполярного транзистора протекают следующие физические процессы: инжекция, диффузия, рекомбинация и экстракция. Рассмотрим р-n переход эмиттер - база при условии, что длина базы велика. В этом случае при прямом смещении р-n перехода из эмиттера в базу инжектируются неосновные носители. Закон распределения инжектированных дырок рn(х) по базе описывается следующим уравнением: Процесс переноса инжектированных носителей через базу - диффузионный. Характерное рас-стояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения -диффузионная длина Lp. Поэтому, если необходимо, чтобы инжектированные носители достигли коллекторного перехода, длина базы W должна быть меньше диффузионной длины Lp. Это условие - W < Lp, является необходимым для реализации транзисторного эффекта - управление током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи. В процессе диффузии через базу инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями в базе. Для восполнения прорекомбинированных основных носителей в базе через внешний контакт должны подойти такое же количество носителей. Таким образом, ток базы - это рекомбинационный ток. Продиффундировавшие через базу без рекомбинации носители попадают в электрическое по-ле обратно смещенного коллекторного p-n перехода и экстрагируются из базы в коллектор. Таким образом, в БТ реализуются четыре физических процесса: · инжекция из эмиттера в базу; · диффузия через базу; · рекомбинация в базе; · экстракция из базы в коллектор. studfiles.net |
|
||||||||||||||||||
|
|
||||||||||||||||||
|
